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公开(公告)号：CN112117977B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202011093608.5
申请日：2020-10-14
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于忆阻器的增益与相位可调放大器，利用忆阻器的电学特性与负阻源耦差分对电路进行组合，通过脉冲编程设定忆阻器的阻值来改变该放大器的增益和相位。架构上采用具有高输出阻抗的电流镜对忆阻器的直流分量进行旁路，使忆阻器两端的静态工作电压小于忆阻器的阈值电压，相比于传统的旁路电容方式显著地节省了集成电路版图面积。通过负阻产生电路与忆阻器进行串联，通过脉冲编程调节作为正电阻的忆阻器就可以获得一定正负阻值范围内可调的电阻值，并将此正负可调电阻作为源耦差分对电路的负载就可以实现既能调节该放大器增益又能调节该放大器相位。
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公开(公告)号：CN111580197B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202010416220.8
申请日：2020-05-17
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 一种横向MIMI格点阵等离激元吸收器。由折射率为1.52的介质基底和以MIMI结构基本单元进行周期性排列形成的横向MIMI格点阵列构成，MIMI结构基本单元是由两列银长方体块和两列二氧化硅长方体块交替堆积形成，每列长方体块的长度和高度完全相同，垂直竖立在介质基底的上表面。整个结构放置在均匀的介质环境中，入射平面光波的入射方向即波矢k与介质基底的上表面垂直，入射光的电场方向平行于银长方体块和二氧化硅长方体块的长，入射光的磁场方向平行于银长方体块和二氧化硅长方体块的宽。通过两种不同的共振形式在吸收光谱上产生两个窄的共振吸收峰，且对介质环境折射率的变化具有很高的灵敏度，在生物化学物质检测领域具有很高的应用价值。
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公开(公告)号：CN111552014A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010416222.7
申请日：2020-05-17
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本发明为一种横向MIM格点阵等离激元吸收器，由介质基底和具有周期性的金属纳米颗粒阵列构成，每组金属纳米颗粒由两个相对的金长方体块及其中间所夹的介质层构成。入射光为磁场方向平行于介质基底平面的TM平面波，其波矢k与竖直方向有一定夹角，从而可以在金属纳米颗粒阵列中激发OLP形式的格点阵等离激元，且相邻的纳米金属单元之间会产生较强的共振耦合，在特定的结构参数和入射角下就会对入射光产生特定的吸收峰。并且相比于与其它基于阵列的等离激元吸收器具有很高的品质因数和很好的调谐性，该横向MIM格点阵等离激元吸收器在微纳光学集成器件领域具有着良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN110991624A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911423140.9
申请日：2019-12-31
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种变脉宽输入电荷积累型忆阻神经网络电路，包括脉宽调制电路，极性控制电路，编程控制电路，忆阻器阵列，电荷积累电路，激活函数电路，比较控制与模拟权重更新电路。本发明将输入的数字逻辑值通过脉宽调制电路变换为脉宽调制信号，从而有利于神经网络精度的提高；将脉宽调制电路和极性控制电路相结合，以及利用电荷积累电路的同向或反向积分，使得只使用单一的忆阻器阵列即可实现正，零或负的权重，并能够显著地节省了芯片面积；此外，忆阻器阵列的权重编程和电荷积累电容的复位可以同步进行，有利于硬件电路的运算速度的提升。
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公开(公告)号：CN110991624B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN201911423140.9
申请日：2019-12-31
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06N3/065 , G06N3/0442 , G06N3/049 , G06N3/084
Abstract: 本发明公开一种变脉宽输入电荷积累型忆阻神经网络电路，包括脉宽调制电路，极性控制电路，编程控制电路，忆阻器阵列，电荷积累电路，激活函数电路，比较控制与模拟权重更新电路。本发明将输入的数字逻辑值通过脉宽调制电路变换为脉宽调制信号，从而有利于神经网络精度的提高；将脉宽调制电路和极性控制电路相结合，以及利用电荷积累电路的同向或反向积分，使得只使用单一的忆阻器阵列即可实现正，零或负的权重，并能够显著地节省了芯片面积；此外，忆阻器阵列的权重编程和电荷积累电容的复位可以同步进行，有利于硬件电路的运算速度的提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111552014B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202010416222.7
申请日：2020-05-17
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本发明为一种横向MIM格点阵等离激元吸收器，由介质基底和具有周期性的金属纳米颗粒阵列构成，每组金属纳米颗粒由两个相对的金长方体块及其中间所夹的介质层构成。入射光为磁场方向平行于介质基底平面的TM平面波，其波矢k与竖直方向有一定夹角，从而可以在金属纳米颗粒阵列中激发OLP形式的格点阵等离激元，且相邻的纳米金属单元之间会产生较强的共振耦合，在特定的结构参数和入射角下就会对入射光产生特定的吸收峰。并且相比于与其它基于阵列的等离激元吸收器具有很高的品质因数和很好的调谐性，该横向MIM格点阵等离激元吸收器在微纳光学集成器件领域具有着良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN112117977A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202011093608.5
申请日：2020-10-14
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于忆阻器的增益与相位可调放大器，利用忆阻器的电学特性与负阻源耦差分对电路进行组合，通过脉冲编程设定忆阻器的阻值来改变该放大器的增益和相位。架构上采用具有高输出阻抗的电流镜对忆阻器的直流分量进行旁路，使忆阻器两端的静态工作电压小于忆阻器的阈值电压，相比于传统的旁路电容方式显著地节省了集成电路版图面积。通过负阻产生电路与忆阻器进行串联，通过脉冲编程调节作为正电阻的忆阻器就可以获得一定正负阻值范围内可调的电阻值，并将此正负可调电阻作为源耦差分对电路的负载就可以实现既能调节该放大器增益又能调节该放大器相位。
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公开(公告)号：CN111580197A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010416220.8
申请日：2020-05-17
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 一种横向MIMI格点阵等离激元吸收器。由折射率为1.52的介质基底和以MIMI结构基本单元进行周期性排列形成的横向MIMI格点阵列构成，MIMI结构基本单元是由两列银长方体块和两列二氧化硅长方体块交替堆积形成，每列长方体块的长度和高度完全相同，垂直竖立在介质基底的上表面。整个结构放置在均匀的介质环境中，入射平面光波的入射方向即波矢k与介质基底的上表面垂直，入射光的电场方向平行于银长方体块和二氧化硅长方体块的长，入射光的磁场方向平行于银长方体块和二氧化硅长方体块的宽。通过两种不同的共振形式在吸收光谱上产生两个窄的共振吸收峰，且对介质环境折射率的变化具有很高的灵敏度，在生物化学物质检测领域具有很高的应用价值。
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公开(公告)号：CN211669355U
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201921770637.3
申请日：2019-10-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01S5/16
Abstract: 本实用新型涉及一种基于可移动地面基站的无人机室内定位装置，无人机在室内飞行时，可移动地面基站会从确定的起点出发紧随其后并协助无人机进行定位，并且能通过路径追踪技术获取可移动地面基站每时刻在室内中的位置，当无人机需要定位时，无人机与可移动地面基站会发生两次红外激光传感交互，并获取两次传感交互中的红外激光发射方位数据和可移动地面基站移动数据进行分析，从而可以判断出无人机相对于可移动地面基站的位置，再结合可移动地面基站在室内中的位置，就可以判断出无人机在室内中的位置。
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公开(公告)号：CN210666857U
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201921836645.3
申请日：2019-10-29
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本实用新型公开一种忆阻器桥式触突的工作模式配置电路，包括4个忆阻器M1、M2、M3和M4，初始化MOS晶体管开关SWINIT，2个接地MOS晶体管开关SWGA和SWGB，权重编程控制MOS晶体管开关SWP，以及信号处理控制MOS晶体管开关SWIN。本实用新型的桥式触突两支路均通过MOS晶体管接地，在权重编程阶段和信号处理阶段两个支路对地电位相等，使得电路更加稳定，消除了工作模式配置电路本身带来的误差。将带有该工作模式配置电路的忆阻器桥式触突应用到神经网络后，两个支路的接地MOS晶体管可以实现共享，在提升神经网络判决精度的同时并不显著增加芯片面积。
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