公开(公告)号：CN119744114A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411865412.1

申请日：2024-12-18

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 孙堂友 ,  谭振强 ,  李建华 ,  李海鸥 ,  陈赞辉 ,  邓兴 ,  张法碧

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件与工艺技术领域，具体涉及一种基于二维材料的异质结忆阻器及其制备方法，器件结构自下而上包括衬底、底电极层、金属封盖层、二维材料层、硅层、氧化物层和顶电极层。所述二维材料层直接原位生长在所述金属封盖层之上，与制备二维材料器件常用的转移法相比，避免了操作步骤繁琐和杂质污染问题，具有工艺简便性、通用性和高集成性。利用所述二维材料层、所述硅层与所述氧化物层所具有的不同离子迁移速率，引导导电细丝的形成和熔断都局域在二维材料层与硅层的界面附近，使得忆阻器具有优异的电学性能。此外，该器件还能有效模拟神经突触的特性，有助于实现开关速度快、高集成度、高稳定性和低功耗的人工突触器件。

公开(公告)号：CN118846459A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410888677.7

申请日：2024-07-03

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 张倩 ,  许丹宁 ,  李建华 ,  张昊天 ,  舒小华

IPC: A62D3/17 ,  A62D3/38 ,  A62D101/28 ,  A62D101/26

Abstract: 本发明公开了一种利用磁场促进黄铁矿光催化降解人工甜味剂的方法，包括以下步骤：搭建磁场环境，使用高强度永久性钕铁硼磁铁，磁场强度为0.3‑0.5特斯拉，采用点源型磁场布置，确保均匀磁场；对黄铁矿样品进行去离子水洗涤和干燥，并通过液相色谱法纯化人工甜味剂样品；使用光化学反应仪，500W氙灯竖直照射，将预处理后的样品按质量比1:10混合，放置在光反应管中；启动搅拌器和氙灯进行光催化反应，磁场作用下持续照射120分钟；通过恒温设备保持溶液温度在20℃‑26℃，并调节溶液pH值到3‑4，监测和调整pH值；反应结束后，离心分离混合物，过滤并收集上清液进行后续分析。本发明显著提高了黄铁矿光催化降解人工甜味剂的效率，具有高效、简便和环保的优点。

公开(公告)号：CN119546176A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411589467.4

申请日：2024-11-08

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 孙堂友 ,  李建华 ,  高瑞祥 ,  蔡平 ,  谭振强 ,  李海鸥 ,  陈赞辉 ,  邓兴 ,  张法碧

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00 ,  G11C13/00

Abstract: 本发明涉及忆阻器技术领域，具体涉及一种复合材料忆阻器及其制备方法，具体在FTO玻璃基底上依次涂覆聚乙烯醇与Ti3C2Tx复合材料薄膜、氧化锆薄膜，再将银顶电极沉积在氧化锆薄膜上形成四层垂直结构。本发明专为神经形态计算系统设计，以模拟生物突触的可塑性。经试验证实，本发明实现了电压幅度调制精度高达0.1V，确保了对突触权重的精确控制，同时表现出高塑性，能够快速学习和适应变化的输入条件，具有超过5×104秒的优异保持特性和超过200次IV扫描循环的可靠性，解决了现有忆阻器在模拟生物突触功能时存在的电压调制精度、可塑性、以及长期稳定性方面性能不足问题。