公开(公告)号：CN112838157A

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN202110195463.8

申请日：2021-02-22

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 黄鹏儒 ,  黄强 ,  孙志海 ,  张颖 ,  彭乐宇 ,  李子源 ,  张忠玮 ,  刘呈燕 ,  徐芬 ,  孙立贤

IPC: H01L35/34 ,  H01L35/16

Abstract: 本发明公开了一种SnTe掺Ge热电材料的制备方法，包括步骤1，SnTe掺Ge热电材料的熔炼和步骤2，SnTe掺Ge热电材料的烧结。一种SnTe掺Ge热电材料的应用，在823 K的温度下，塞贝克系数高达126‑129µVK‑1，功率因子为20‑24µWm‑1K‑2，热导率低至2.69‑3.15 WK‑1m‑1，热电优值ZT在0.58‑0.62之间。相对于现有技术，本发明具有以下优点：相对于现有技术，本发明具有以下优点：1、所得SnTe掺Ge热电材料具有结晶度高、杂质少、致密度高以及具有塞贝克系数大，热导率低，热电性能提高幅度大的特性；2、制备方法具有原料市售可得，成本低廉，反应周期短，反应过程低能耗，低污染，工艺操作简单，可重复性高和具有可控性强的特点。

公开(公告)号：CN112838157B

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202110195463.8

申请日：2021-02-22

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 黄鹏儒 ,  黄强 ,  孙志海 ,  张颖 ,  彭乐宇 ,  李子源 ,  张忠玮 ,  刘呈燕 ,  徐芬 ,  孙立贤

IPC: H10N10/01 ,  H10N10/852

Abstract: 本发明公开了一种SnTe掺Ge热电材料的制备方法，包括步骤1，SnTe掺Ge热电材料的熔炼和步骤2，SnTe掺Ge热电材料的烧结。一种SnTe掺Ge热电材料的应用，在823 K的温度下，塞贝克系数高达126‑129µVK‑1，功率因子为20‑24µWm‑1K‑2，热导率低至2.69‑3.15 WK‑1m‑1，热电优值ZT在0.58‑0.62之间。相对于现有技术，本发明具有以下优点：相对于现有技术，本发明具有以下优点：1、所得SnTe掺Ge热电材料具有结晶度高、杂质少、致密度高以及具有塞贝克系数大，热导率低，热电性能提高幅度大的特性；2、制备方法具有原料市售可得，成本低廉，反应周期短，反应过程低能耗，低污染，工艺操作简单，可重复性高和具有可控性强的特点。

公开(公告)号：CN113399665A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202110500932.2

申请日：2021-05-08

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘呈燕 ,  余中海 ,  张勇 ,  张忠玮 ,  苗蕾 ,  王潇漾

IPC: B22F3/105 ,  C22C1/04 ,  B22F9/04 ,  H01L35/18

Abstract: 本发明公开了一种制备NbFeSb块体热电材料的方法，利用微波合成法合成合金然后用研钵粉碎，再放入行星式球磨机中进行球磨，再经放电等离子烧结得到NbFeSb基热电材料。工艺简单，易于操作，且效率高，不会对环境产生危害，不会产生二次污染为NbFeSb热电材料的制备探究了一种新的方法。