基于双栅的具有P型沟道特性的新型半导体器件

    公开(公告)号:CN113871478A

    公开(公告)日:2021-12-31

    申请号:CN202111025927.7

    申请日:2021-09-02

    Abstract: 本发明公开一种基于双栅的具有P型沟道特性的新型半导体器件,在传统AlGaN/GaN HEMT器件中引入底部栅极,通过背栅与顶栅控制沟道,实现具有P沟道特性的HEMT器件。一方面,通过顶部栅极偏置电压,使得器件处于关断状态。降低底部栅极偏置电压,削弱顶部栅所产生的电场,使得沟道二维电子气重新产生,实现P型沟道器件特性。另一方面,在开态下,进一步减小底部栅极偏置电压,异质结界面三角形势阱的深度增加,从而增大器件的开态电流。本发明实现的是一种基于双栅的具有P型沟道特性的新型半导体器件,避免了传统HEMT器件的无法实现二维空穴气,P型沟道的HEMT器件难以制造的难题,为实现具有P型沟道特性的HEMT器件提供新的思路。

    基于双栅的具有P型沟道特性的新型半导体器件

    公开(公告)号:CN113871478B

    公开(公告)日:2024-07-30

    申请号:CN202111025927.7

    申请日:2021-09-02

    Abstract: 本发明公开一种基于双栅的具有P型沟道特性的新型半导体器件,在传统AlGaN/GaN HEMT器件中引入底部栅极,通过背栅与顶栅控制沟道,实现具有P沟道特性的HEMT器件。一方面,通过顶部栅极偏置电压,使得器件处于关断状态。降低底部栅极偏置电压,削弱顶部栅所产生的电场,使得沟道二维电子气重新产生,实现P型沟道器件特性。另一方面,在开态下,进一步减小底部栅极偏置电压,异质结界面三角形势阱的深度增加,从而增大器件的开态电流。本发明实现的是一种基于双栅的具有P型沟道特性的新型半导体器件,避免了传统HEMT器件的无法实现二维空穴气,P型沟道的HEMT器件难以制造的难题,为实现具有P型沟道特性的HEMT器件提供新的思路。

    一种可校准的射频信号源及其校准方法

    公开(公告)号:CN117728831A

    公开(公告)日:2024-03-19

    申请号:CN202311741869.7

    申请日:2023-12-15

    Abstract: 本发明公开了一种可校准的射频信号源及其校准方法,所述射频信号源由锁相环模块、滤波模块、数字衰减模块、功率放大模块、信号通道选择模块、对数检波模块、主控模块和存储模块构成。由主控模块控制锁相环模块和滤波模块生成所需频率信号。主控模块结合数字衰减模块、功率放大模块、信号通道选择模块、对数检波模块和存储模块,通过自动控制增益算法调整所需射频信号功率。通过射频信号源的校准方法解决因出现器件性能改变而导致输出信号不准确的问题。本发明的射频信号源,通过使用低成本的商用货架芯片,实现精简的系统结构,降低制造成本、减小仪器体积。并通过集成的校准功能,为用户提供便捷的校准方式,节省人力和时间。

    一种基于CTDM技术的多用户电磁波成像及测量系统

    公开(公告)号:CN113759370A

    公开(公告)日:2021-12-07

    申请号:CN202110914534.5

    申请日:2021-08-10

    Abstract: 本发明涉及电磁波技术领域,具体公开了一种基于CTDM技术的多用户电磁波成像及测量系统,包括服务器模块、多个客户端模块,服务器模块与多个客户端模块之间通过C/S通信模式进行通信连接;服务器模块由服务器管理软件、智能矩阵开关模块组成;每个客户端模块由客户端软件和步进电机模块组成。而客户端软件又包括网络分析仪测量平台和机电微波测试成像平台两个测量平台。该系统具有能够提高仪器使用效率、拓展仪器功能、增长仪器使用寿命的效果。

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