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公开(公告)号：CN105670634A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610106966.2
申请日：2016-02-28
Applicant: 桂林理工大学
CPC classification number: C09K11/883 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C01B19/007
Abstract: 本发明公开了一种有机液相法可控制备CdSe量子点的方法。（1）在氩气保护下，将0.316 g硒粉和3.528g无水亚硫酸钠加入装有100mL二次蒸馏水的三口烧瓶中，回流2小时，冷却，得Na2SeSO3溶胶。（2）将20mL浓度为 0.03mol/L 的Cd(NO3)2·4H2O溶液和10mL分析纯甘油加入到三口烧瓶中混合均匀。（3）在步骤（2）所得溶液中加入6mL分析纯油酸、30mL分析纯 NMP、5mL~20mL浓度为 0.01mol/L的Na2EDTA、5mL~20mL 浓度为0.03mol/L的SDBS混合均匀。（4）置于水浴中加热，至60℃~100℃后，加入15~20mL Na2SeSO3溶胶，在氩气保护下恒温反应回流10~60分钟，冷却。本发明制备工艺简单，最显著的特点是有机相法合成CdSe量子点，分散性好、工艺简单、易存储、无污染、可控性高。
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公开(公告)号：CN105800952A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610106967.7
申请日：2016-02-28
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C03C17/34
CPC classification number: C03C17/3476
Abstract: 本发明公开了一种CdSe纳米晶光电材料的制备方法。（1）在氩气保护下，将0.7896 g硒粉和7.5624g无水亚硫酸钠加入装有100mL二次蒸馏水的三口烧瓶中，回流2小时，冷却，得Na2SeSO3溶胶。（2）将15mL~45mL浓度为0.1mol/L的Cd(NO3)2·4H2O溶液和1mL~9mL分析纯甲酸溶液混合。（3）在步骤（2）所得溶液中加入10mL分析纯NMP、5mL~15mL浓度为0.1mol/L的Na2EDTA和5mL浓度为0.01mol/L的SDBS。（4）将步骤（3）所得溶液置于水浴中加热，至60℃~100℃后，加入15mL~45mL步骤（1）所得的Na2SeSO3溶胶和1mL~19mL的H2O，在氩气保护下恒温反应回流20~60分钟，冷却。本发明制备工艺简单，样品分散性好，易存储，无污染，并具有较好的光电性能等特点。
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公开(公告)号：CN105753034A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610106968.1
申请日：2016-02-28
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C01G3/02
CPC classification number: C04B7/38
Abstract: 本发明公开了一种Cu2O纳米薄膜的制备方法。（1）配制质量百分比浓度为0.3～1%的HF溶液和质量百分比浓度为25～65%的HNO3溶液，两种配好的溶液取相同体积混合均匀，得混酸溶液；（2）将铜片剪成1.5cm×5cm×0.1cm大小，置于步骤（1）所得混酸溶液中，20～50秒后待铜表面呈紫红色取出，依次用二次蒸馏水、分析纯丙酮和分析纯酒精各超声清洗铜片10分钟，随即在25～65℃水浴中静置3～7天，得Cu2O纳米薄膜。本发明与其他相关技术相比，最显著的特点是常温水浴法制备Cu2O纳米薄膜，其制备工艺简单、周期短，制备的样品有较好的光电性能。
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公开(公告)号：CN105753034B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201610106968.1
申请日：2016-02-28
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C01G3/02
Abstract: 本发明公开了一种Cu2O纳米薄膜的制备方法。（1）配制质量百分比浓度为0.3～1%的HF溶液和质量百分比浓度为25～65%的HNO3溶液，两种配好的溶液取相同体积混合均匀，得混酸溶液；（2）将铜片剪成1.5cm×5cm×0.1cm大小，置于步骤（1）所得混酸溶液中，20～50秒后待铜表面呈紫红色取出，依次用二次蒸馏水、分析纯丙酮和分析纯酒精各超声清洗铜片10分钟，随即在25～65℃水浴中静置3～7天，得Cu2O纳米薄膜。本发明与其他相关技术相比，最显著的特点是常温水浴法制备Cu2O纳米薄膜，其制备工艺简单、周期短，制备的样品有较好的光电性能。
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