Ho掺杂Bi2S3纳米薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN112939483A

    公开(公告)日:2021-06-11

    申请号:CN202110058982.X

    申请日:2021-01-17

    Abstract: 本发明公开了一种Ho掺杂Bi2S3纳米薄膜的制备方法。将FTO分别在含Bi(NO3)3·5H2O的冰醋酸溶液和含Na2S·9H2O的甲醇溶液中浸泡,每次取出FTO烘干,如此重复三次,退火后制得Bi2S3/FTO。将含Bi(NO3)3·5H2O、Ho(NO3)3·6H2O、Na2S2O3·5H2O三种物质混合而成并且NaOH调节溶液pH值为4.8的反应液装入高压反应釜中,插入Bi2S3/FTO,在烘箱中反应,得光电压值为0.0747 V~0.2650 V的纯Bi2S3及Ho掺杂Bi2S3(Ho‑Bi2S3)纳米薄膜。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期较短,产品的光电性能稳定性好。

    一种铈掺杂硫化铋/三氧化二铁纳米异质结的制备方法

    公开(公告)号:CN113121124B

    公开(公告)日:2022-11-11

    申请号:CN202110329970.6

    申请日:2021-03-29

    Abstract: 本发明公开了一种铈掺杂硫化铋/三氧化二铁纳米异质结的制备方法。(1)将Fe(NO3)3·9H2O和Na2C2O4的混合溶液倒入反应釜,插入FTO后于烘箱中反应,冷却,去离子水冲洗三遍后烘干,得到Fe2O3/FTO。(2)将Bi(NO3)3·5H2O冰醋酸溶液旋涂于Fe2O3/FTO上,重复1~5次,放入含硫脲与Ce(NO3)3·6H2O的1mol/L氨水溶液的反应釜中,于烘箱里反应,即在Fe2O3/FTO上得到Ce‑Bi2S3/Fe2O3纳米异质结,其光压值为0.1466 V~0.3468 V。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期较短,产品的光电性能稳定。

    Ho掺杂Bi2S3纳米薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN112939483B

    公开(公告)日:2022-07-01

    申请号:CN202110058982.X

    申请日:2021-01-17

    Abstract: 本发明公开了一种Ho掺杂Bi2S3纳米薄膜的制备方法。将FTO分别在含Bi(NO3)3·5H2O的冰醋酸溶液和含Na2S·9H2O的甲醇溶液中浸泡,每次取出FTO烘干,如此重复三次,退火后制得Bi2S3/FTO。将含Bi(NO3)3·5H2O、Ho(NO3)3·6H2O、Na2S2O3·5H2O三种物质混合而成并且NaOH调节溶液pH值为4.8的反应液装入高压反应釜中,插入Bi2S3/FTO,在烘箱中反应,得光电压值为0.0747 V~0.2650 V的纯Bi2S3及Ho掺杂Bi2S3(Ho‑Bi2S3)纳米薄膜。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期较短,产品的光电性能稳定性好。

    一种铈掺杂硫化铋/三氧化二铁纳米异质结的制备方法

    公开(公告)号:CN113121124A

    公开(公告)日:2021-07-16

    申请号:CN202110329970.6

    申请日:2021-03-29

    Abstract: 本发明公开了一种铈掺杂硫化铋/三氧化二铁纳米异质结的制备方法。(1)将Fe(NO3)3·9H2O和Na2C2O4的混合溶液倒入反应釜,插入FTO后于烘箱中反应,冷却,去离子水冲洗三遍后烘干,得到Fe2O3/FTO。(2)将Bi(NO3)3·5H2O冰醋酸溶液旋涂于Fe2O3/FTO上,重复1~5次,放入含硫脲与Ce(NO3)3·6H2O的1mol/L氨水溶液的反应釜中,于烘箱里反应,即在Fe2O3/FTO上得到Ce‑Bi2S3/Fe2O3纳米异质结,其光压值为0.1466 V~0.3468 V。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期较短,产品的光电性能稳定。

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