公开(公告)号：CN109364893A

公开(公告)日：2019-02-22

申请号：CN201811373229.4

申请日：2018-11-19

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 马丽丽 ,  余清凤 ,  陈南春 ,  解庆林 ,  梁效铭 ,  李聪 ,  钟溢健

IPC: B01J20/26 ,  C02F1/28 ,  B01J20/30 ,  C02F101/10

Abstract: 本发明提供一种基于壳聚糖修饰硅藻As(V)离子印迹材料(IIP)的制备方法，属于离子印迹材料领域。以硅藻表面修饰壳聚糖为载体和功能单体，γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷为交联剂，制备对As(V)具识别性的吸附剂。硅藻具吸附性能，表面有较多呈电负性的活性位点，可塑性较高，作为功能单体的载体，DGTMS分子既能与硅藻表面Si-OH进行缩水聚合反应，又具备与壳聚糖分子上-NH2反应的环氧基团，DGTMS与壳聚糖分子氨基通过共价键连接的交联反应，使DGTMS水解进行自我缩聚并且与硅藻表面Si-OH基团的缩合水解进行共价键连接，环氧基团开环并与壳聚糖氨基进行共价交联，形成高密度网状结构聚合物。