公开(公告)号：CN105552020B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201510689740.5

申请日：2015-10-22

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： 袁磊 ,  I·林 ,  桂宗郁 ,  M·拉希德

IPC: H01L21/768

CPC classification number: G06F17/5081 ,  G06F17/5077

Abstract: 本发明揭示一种用于辅助金属绕线的方法及设备。具体实施例可包括：判定具有第一内顶点的初始阻挡掩模用以形成集成电路(IC)的金属绕线层；于该金属绕线层内添加辅助金属部分；以及判定基于该辅助金属部分的修正阻挡掩模用以形成该金属绕线层。

公开(公告)号：CN105552020A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201510689740.5

申请日：2015-10-22

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： 袁磊 ,  I·林 ,  桂宗郁 ,  M·拉希德

IPC: H01L21/768

CPC classification number: G06F17/5081 ,  G06F17/5077 ,  H01L21/76892

Abstract: 本发明揭示一种用于辅助金属绕线的方法及设备。具体实施例可包括：判定具有第一内顶点的初始阻挡掩模用以形成集成电路(IC)的金属绕线层；于该金属绕线层内添加辅助金属部份；以及判定基于该辅助金属部份的修正阻挡掩模用以形成该金属绕线层。