公开(公告)号：CN109154080B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201780031611.4

申请日：2017-02-27

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 佐藤宏树 ,  山田直树 ,  白鸟翼 ,  佐藤晴义

IPC: C23C16/40 ,  H01L21/316

Abstract: 一种薄膜形成用原料，其含有以下述通式(1)表示的化合物而成：【化1】式中，R1是表示碳原子数2～4的直链或分支状的烷基，R2～R5各自独立表示碳原子数1～4的直链或分支状的烷基，A是表示碳原子数1～4的烷二基，M是表示钛、锆或铪；但，M为锆时，A是碳原子数3或4的烷二基。M为钛及铪时，A是碳原子数2或3的烷二基是优选的。M为锆时，A是碳原子数3的烷二基是优选的。

公开(公告)号：CN109154080A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780031611.4

申请日：2017-02-27

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 佐藤宏树 ,  山田直树 ,  白鸟翼 ,  佐藤晴义

IPC: C23C16/40 ,  H01L21/316

Abstract: 一种薄膜形成用原料，其含有以下述通式(1)表示的化合物而成：【化1】式中，R1是表示碳原子数2～4的直链或分支状的烷基，R2～R5各自独立表示碳原子数1～4的直链或分支状的烷基，A是表示碳原子数1～4的烷二基，M是表示钛、锆或铪；但，M为锆时，A是碳原子数3或4的烷二基。M为钛及铪时，A是碳原子数2或3的烷二基是优选的。M为锆时，A是碳原子数3的烷二基是优选的。