公开(公告)号：CN101438178A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200780016434.9

申请日：2007-05-08

Applicant: 株式会社藤仓

Inventor： 糸井和久 ,  长洲胜文 ,  相沢卓也 ,  中尾知 ,  川合茂一

IPC: G01R33/02 ,  H01L43/00

CPC classification number: G01R33/09 ,  G01R33/0011 ,  G01R33/02 ,  G01R33/063 ,  G01R33/18 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明的磁器件具备磁元件、夹着该磁元件配置的第一磁场施加机构和第二磁场施加机构。磁元件是在例如非磁性基板的表面上曲折地形成软磁性膜的元件。第一磁场施加机构及第二磁场施加机构，从第一磁场施加机构向第二磁场施加机构在一个方向(S)上形成磁场(M)。由此，对于被配置在第一磁场施加机构和第二磁场施加机构之间的磁元件而言，整个软磁性膜被施加了朝向一个方向的偏磁场(M)。

公开(公告)号：CN101438178B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200780016434.9

申请日：2007-05-08

Applicant: 株式会社藤仓

Inventor： 糸井和久 ,  长洲胜文 ,  相沢卓也 ,  中尾知 ,  川合茂一

IPC: G01R33/02 ,  H01L43/00

CPC classification number: G01R33/09 ,  G01R33/0011 ,  G01R33/02 ,  G01R33/063 ,  G01R33/18 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明的磁器件具备磁元件、夹着该磁元件配置的第一磁场施加机构和第二磁场施加机构。磁元件是在例如非磁性基板的表面上曲折地形成软磁性膜的元件。第一磁场施加机构及第二磁场施加机构，从第一磁场施加机构向第二磁场施加机构在一个方向(S)上形成磁场(M)。由此，对于被配置在第一磁场施加机构和第二磁场施加机构之间的磁元件而言，整个软磁性膜被施加了朝向一个方向的偏磁场(M)。