公开(公告)号：CN116741686A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202310202682.3

申请日：2023-03-06

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 藤冈仁志 ,  小柴健 ,  户川勤博 ,  荒内琢士

IPC: H01L21/68 ,  H01L23/544 ,  H01L21/02

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，其包括制备碳化硅基板(12)、生长外延层(50)和形成结构(20b、80)。所述碳化硅基板具有其上布置有凹陷形状的对准标记(20、20a)的上表面(12a)，并且垂直于上表面的垂直线(12s)相对于[0001]方向朝向[11‑20]方向倾斜。外延层在所述上表面生长并覆盖对准标记。该结构沿着所述上表面在[11‑20]方向上距离所述对准标记为间隔P的位置处形成在所述上表面上或上方。间隔P满足关系D/tanθ

公开(公告)号：CN118263314A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311779455.3

申请日：2023-12-22

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 藤冈仁志

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。在具备多个沟槽栅极(30)的半导体装置中，内侧沟槽(40B)的一对端侧壁(42)的表面粗糙度比内侧沟槽(40B)中的处于长度方向的中间部(46)的一对长侧壁(44)的表面粗糙度大。而且，对内侧沟槽(40B)的一对端侧壁(42)进行覆盖的栅极绝缘膜(34)的膜厚比对内侧沟槽(40B)的处于中间部(46)的一对长侧壁(44)进行覆盖的栅极绝缘膜(34)的膜厚大。由此，能够做成具备对微细化有用的构造的半导体装置。