公开(公告)号：CN118696411A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202380022010.2

申请日：2023-01-13

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 吉川弘起

IPC: H01L23/48

Abstract: 两面散热构造的半导体装置(20)具备半导体元件(40)和基板(50、60)。与半导体元件(40)的漏极电极(40D)连接的基板(50)在表面金属体(52)的表面具有粗糙化部(527)。与半导体元件(40)的源极电极(40S)连接的基板(60)在表面金属体(62)的表面具有粗糙化部(627)及非粗糙化部(628)。非粗糙化部(628)在平面视图中设在至少与焊盘(40P)重叠的部分。封固体(30)密接于粗糙化部(527、627)，不密接于非粗糙化部(628)。

公开(公告)号：CN116134164A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202180060389.7

申请日：2021-06-14

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 山岸哲人 ,  坂本善次 ,  海津瞭一 ,  稻叶祐树 ,  吉川弘起

IPC: C22C13/02

Abstract: 半导体装置具备：半导体芯片(30)，在SiC衬底中形成有元件；热沉(40、50)及接线端(60)，是以夹着半导体芯片(30)的方式配置的散热部件；以及焊料(90、91、92)，介于半导体芯片与散热部件之间而形成接合部。焊料(90、91)是以下的合金组分的无铅焊料：以3.2～3.8质量％包含Ag，以0.6～0.8质量％包含Cu，以0.01～0.2质量％包含Ni；并且，如果设Sb的含量为x质量％，设Bi的含量为y质量％，则以满足x+2y≤11质量％、x+14y≤42质量％及x≥5.1质量％的方式包含Sb和Bi；进而，以0.001～0.3质量％包含Co，以0.001～0.2质量％包含P；其余部分由Sn构成。