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公开(公告)号:CN101369605A
公开(公告)日:2009-02-18
申请号:CN200810146148.0
申请日:2008-08-12
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L27/12 , G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/78618 , G02F1/13454 , G02F2001/13685 , G02F2202/104 , H01L27/12 , H01L29/78645 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种显示器件,包括:绝缘基板;设置在绝缘基板上的晶体管;设置在晶体管上的多晶半导体层;栅极绝缘膜;栅电极,其中,栅电极隔着栅极绝缘膜而形成在多晶半导体层上,多晶半导体层包括:俯视观察时与栅电极重叠的第一区域;夹着第一区域的第二区域和第三区域,其中,第一区域被夹在第二区域和第三区域之间而形成,多晶半导体层的第二区域包括:第一杂质扩散区域;以及导电类型与第一杂质扩散区域的导电类型相反的第二杂质扩散区域,第一区域和第一杂质扩散区域在第一边界连接,第一区域和第二杂质扩散区域在第二边界连接,沿栅电极夹着第一杂质扩散区域而设置有2个第二杂质扩散区域。在显示器件中对泄漏电流进行抑制。
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公开(公告)号:CN101369605B
公开(公告)日:2011-11-09
申请号:CN200810146148.0
申请日:2008-08-12
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L27/12 , G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/78618 , G02F1/13454 , G02F2001/13685 , G02F2202/104 , H01L27/12 , H01L29/78645 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种显示器件,包括:绝缘基板;设置在绝缘基板上的晶体管;设置在晶体管上的多晶半导体层;栅极绝缘膜;栅电极,其中,栅电极隔着栅极绝缘膜而形成在多晶半导体层上,多晶半导体层包括:俯视观察时与栅电极重叠的第一区域;夹着第一区域的第二区域和第三区域,其中,第一区域被夹在第二区域和第三区域之间而形成,多晶半导体层的第二区域包括:第一杂质扩散区域;以及导电类型与第一杂质扩散区域的导电类型相反的第二杂质扩散区域,第一区域和第一杂质扩散区域在第一边界连接,第一区域和第二杂质扩散区域在第二边界连接,沿栅电极夹着第一杂质扩散区域而设置有2个第二杂质扩散区域。在显示器件中对泄漏电流进行抑制。
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