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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101345218A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810130304.4
申请日：2008-07-04
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L21/84 , H01L27/12 , G02F1/136 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/1266 , G02F1/133305 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L29/78603
Abstract: 本发明的课题在于提供一种采用转印方式在树脂基板上形成TFT的方法，所述方法不需降低操作温度，可以使用现有的生产线，同时能够抑制成本。本发明涉及一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置的制造方法包含如下工序：在支承基板的上层形成树脂膜(a)的工序、在树脂膜(a)的上层形成半导体元件的工序、和从形成有半导体元件的树脂膜(a)上剥离支承基板的工序，其中，树脂膜(a)的膜厚为1μm以上30μm以下，波长400nm以上800nm以下的可见光的透过率为80％以上，重量减少3％的温度为300℃以上，熔点为280℃以上。
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公开(公告)号：CN101109879B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200710126816.9
申请日：2007-06-27
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343 , G03F7/00
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/134363 , G02F2001/133357 , G02F2202/38 , G02F2202/42
Abstract: 本发明提供提高开口率的同时增大辅助电容的液晶显示装置。在第1基板10A上形成的有源元件的上层依次层叠形成的门绝缘膜12B、门电极2、层间绝缘膜12C、图像线D与源电极4。层间绝缘膜12C由至少含有高电介质微粒或溶胶凝胶的相对介电常数为4.0以上的涂布型透明绝缘膜形成。门绝缘膜12B上具有第1通孔SH3，在第1通孔SH3内的层间绝缘膜12C上形成第2通孔SH4，通过第2通孔SH4将源电极4电连接在有源元件上，门电极2、图像线D、源电极4及层间绝缘膜12C构成保持电容。
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公开(公告)号：CN101311789A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810109048.0
申请日：2008-05-23
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/1333 , H01L21/84 , H01L27/12 , G09F9/00
CPC classification number: H01L27/1266 , G02F1/133305 , G02F1/1368 , H01L27/1214
Abstract: 本发明提供一种能以简单的结构来廉价制造的显示装置的制造方法。提供一种可使用现有生产线来进行制造的显示装置的制造方法。该制造方法包括：在玻璃基板的主表面上通过使涂敷的树脂固化来形成树脂材料层的步骤；在上述树脂材料层的主表面侧形成构成显示电路的多个层叠材料层的步骤；以及从上述玻璃基板的与形成有上述层叠材料层的面相反的一侧的面照射光，使上述树脂材料层和上述玻璃基板的界面处产生剥离的步骤，将除去了上述玻璃基板的上述树脂材料层用作形成有上述显示电路的基板。
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公开(公告)号：CN101109879A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710126816.9
申请日：2007-06-27
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343 , G03F7/00
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/134363 , G02F2001/133357 , G02F2202/38 , G02F2202/42
Abstract: 本发明提供提高开口率的同时增大辅助电容的液晶显示装置。在第1基板10A上形成的有源元件的上层依次层叠形成的门绝缘膜12B、门电极2、层间绝缘膜12C、图像线D与源电极4。层间绝缘膜12C由至少含有高电介质微粒或溶胶凝胶的相对介电常数为4.0以上的涂布型透明绝缘膜形成。门绝缘膜12B上具有第1通孔SH3，在第1通孔SH3内的层间绝缘膜12C上形成第2通孔SH4，通过第2通孔SH4将源电极4电连接在有源元件上，门电极2、图像线D、源电极4及层间绝缘膜12C构成保持电容。
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公开(公告)号：CN101345218B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200810130304.4
申请日：2008-07-04
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L21/84 , H01L27/12 , G02F1/136 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/1266 , G02F1/133305 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L29/78603
Abstract: 本发明的课题在于提供一种采用转印方式在树脂基板上形成TFT的方法，所述方法不需降低操作温度，可以使用现有的生产线，同时能够抑制成本。本发明涉及一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置的制造方法包含如下工序：在支承基板的上层形成树脂膜(a)的工序、在树脂膜(a)的上层形成半导体元件的工序、和从形成有半导体元件的树脂膜(a)上剥离支承基板的工序，其中，树脂膜(a)的膜厚为1μm以上30μm以下，波长400nm以上800nm以下的可见光的透过率为80％以上，重量减少3％的温度为300℃以上，熔点为280℃以上。
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