公开(公告)号：CN102163575A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201110021240.6

申请日：2011-01-14

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 后藤顺 ,  畠山荣祐 ,  安生健二 ,  荻岛义智

IPC: H01L21/77 ,  H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/133615

Abstract: 本发明提供了显示装置及显示装置的制造方法，所述制造方法制造的显示装置具有栅电极膜、第一电极膜及第二电极膜以及导电膜，所述导电膜与第一电极膜连接，由包括第一导电层及与第一导电层重叠而形成的第二导电层的导电层构成。所述显示装置的制造方法的特征在于，包括如下工序：形成第一电极膜和第二电极膜的电极膜形成工序；形成导电层使其与第一电极膜及第二电极膜连接的导电层形成工序；从导电层中除去规定区域以外的部分由此形成导电膜的导电膜形成工序，导电层形成工序包括：在第一电极膜及第二电极膜的上面分别形成第一导电层的第一导电层形成工序；和在第一导电层的上面形成第二导电层的第二导电层形成工序。

公开(公告)号：CN102419499B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201110294275.7

申请日：2011-09-27

Applicant: 株式会社日立显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 安生健二 ,  大谷智彦

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/134336 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134318 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/13629

Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置。栅电极形成在TFT基板之上，覆盖该栅电极地形成栅极绝缘膜，在其上形成半导体层。漏电极和源电极配置在半导体层上。平面形状的像素电极形成在栅极绝缘膜之上。在形成漏电极、源电极、视频信号线等之前先形成像素电极，其后形成源电极等。由此在对ITO形成图案时，能够防止在ITO上存在气孔等时因经由显影液的电池作用而使视频信号线、漏电极、源电极等受侵蚀而引起断线。根据本发明，能够在减少层数的IPS方式的液晶显示装置中，防止视频信号线、漏电极、源电极的断线，提高制造成品率并提高可靠性。

公开(公告)号：CN102419499A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201110294275.7

申请日：2011-09-27

Applicant: 株式会社日立显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 安生健二 ,  大谷智彦

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/134336 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134318 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/13629

Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置。栅电极形成在TFT基板之上，覆盖该栅电极地形成栅极绝缘膜，在其上形成半导体层。漏电极和源电极配置在半导体层上。平面形状的像素电极形成在栅极绝缘膜之上。在形成漏电极、源电极、视频信号线等之前先形成像素电极，其后形成源电极等。由此在对ITO形成图案时，能够防止在ITO上存在气孔等时因经由显影液的电池作用而使视频信号线、漏电极、源电极等受侵蚀而引起断线。根据本发明，能够在减少层数的IPS方式的液晶显示装置中，防止视频信号线、漏电极、源电极的断线，提高制造成品率并提高可靠性。