公开(公告)号：CN102856308A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210219367.3

申请日：2012-06-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 东克典 ,  安田健太郎 ,  藤田孝博 ,  斋藤克明 ,  小池义彦 ,  日吉道明

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48 ,  H02M7/00

CPC classification number: H01L25/072 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/49505 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明提供功率半导体模块，其能够减少成为电磁故障等的原因的电压振动的产生。在多个绝缘基板（20、20’）中的各个绝缘基板上搭载的IGBT等半导体开关元件（50、50’）的各主电极（52、52’）通过导体部件（45）电连接。由此，可以抑制由于半导体开关元件的接合电容和寄生电感而导致的共振电压的产生。