公开(公告)号：CN85109742B

公开(公告)日：1988-06-29

申请号：CN85109742

申请日：1985-11-22

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 池田修二 ,  长泽幸一 ,  元吉真 ,  永井清 ,  目黑怜

IPC: H01L21/72 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/0928

Abstract: 在一个共用的工序中形成了Ｐ和Ｎ沟道ＭＯＳ场效应晶体管的Ｐ和Ｎ型源或漏区的一些接触孔以后，通过这些接触孔至少在Ｎ型源或漏区以离子注入法注入一种Ｎ型杂质。把此Ｎ型杂质退火以形成一个比Ｎ型源或漏区为深的Ｎ型区。在退火处理期间，以一层绝缘薄膜覆盖住此Ｎ型源或漏区。

公开(公告)号：CN85109742A

公开(公告)日：1986-07-09

申请号：CN85109742

申请日：1985-11-22

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 池田修二 ,  长泽幸一 ,  元吉真 ,  永井清 ,  目黑怜

IPC: H01L21/72 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/0928

Abstract: 在一个共用的工序中形成了P和N沟道MOS场效应晶体管的P和N型源或漏区的一些接触孔以后，通过这些接触孔至少在N型源或漏区以离子注入法注入一种N型杂质。把此N型杂质退火以形成一个比N型源或漏区为深的N型区。在退火处理期间，以一层绝缘薄膜覆盖住此N型源或漏区。

公开(公告)号：CN1004777B

公开(公告)日：1989-07-12

申请号：CN85108671

申请日：1985-11-27

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 池田修二 ,  小池淳义 ,  目黑怜 ,  奥山辛祐

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/72

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0928 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7838

Abstract: 在此公开的MOSFET具有一个与源区和漏区的导电类型相同的低杂质浓度的半导体区域，以及与栅极分离的高杂质浓度的源区和漏区，由此减小短沟道效应并提高漏结的击穿电压。

公开(公告)号：CN86103174A

公开(公告)日：1986-11-19

申请号：CN86103174

申请日：1986-05-07

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 小池淳义 ,  目黑怜 ,  池田修二 ,  竹田敏文

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/72 ,  H01L29/76 ,  H01L21/02 ,  H01L21/70 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/5283 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的多层布线半导体器件，是在下层金属布线层的侧面形成绝缘材料构成的侧墙，利用该侧墙表面的斜坡形状得以使下层金属布线层侧面的台阶突变趋于缓和，由此结构可以防止上层金属布线层的断裂及蚀刻不干净，防止下层金属布线层出现异常析出小丘，从而获得高可靠性的多层布线构造。

公开(公告)号：CN85108671A

公开(公告)日：1986-06-10

申请号：CN85108671

申请日：1985-11-27

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 池田修二 ,  小池淳义 ,  目黑怜 ,  奥山辛祜

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/72

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0928 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7838

Abstract: 在此公开的MOSFET具有一个与源区和漏区的导电类型相同的低杂质浓度的半导体区域，以及与栅极分离的高杂质浓度的源区和漏区，由此减小短沟道效应并提高漏结的击穿电压。