公开(公告)号：CN110998863A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201880050205.7

申请日：2018-07-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 种村和幸 ,  镰田悦子 ,  泽井宽美 ,  松林大介

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108

Abstract: 提供一种阈值电压大的半导体装置。该半导体装置包括：配置在衬底上的第一导电体；配置在第一导电体上的第一绝缘体；以接触于第一绝缘体的顶面的方式配置的第一氧化物；以接触于第一氧化物的顶面的方式配置的第二绝缘体；配置在第二绝缘体上的第二氧化物；配置在第二氧化物上的第三绝缘体；以及配置在第三绝缘体上的第二导电体，其中，混合层形成在第一绝缘体与第一氧化物之间，混合层包含第一绝缘体所含的原子中的至少一个和第一氧化物所含的原子中的至少一个，并且，混合层具有负的固定电荷。