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公开(公告)号：CN103325936B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201310082972.5
申请日：2013-03-15
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L39/128 , C04B35/4508 , C04B35/624 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3281 , C04B2235/449 , C04B2235/522 , C04B2235/5268 , C04B2235/5296 , C04B2235/6585 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/721 , C04B2235/724 , C04B2235/787 , H01L39/126 , H01L39/2425 , H01L39/2461 , Y10S505/704
Abstract: 根据一个实施方案，氧化物超导体包括取向超导体层和氧化物层。取向超导体层含有2.0×1016～5.0×1019个原子/cc的氟和1.0×1018～5.0×1020个原子/cc的碳。超导体层含有90%或更多的部分以10度或更低的面内取向度(Δφ)沿c-轴取向，并且含有LnBa2Cu3O7-x超导体材料(Ln为钇(Y)，或除铈(Ce)、镨(Pr)、钷(Pm)、和镥(Lu)以外的镧系元素)。氧化物层配置与超导体层的下表面接触，并且相对于超导体层的一个晶轴以10度或更低的面内取向度(Δφ)取向。与氧化物层接触的超导体层的下表面部分的面积为直接位于超导体层下面的区域面积的0.3或更低。
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公开(公告)号：CN107922208B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201680047826.0
申请日：2016-07-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01B12/06 , C01G1/02 , C01G3/00 , C01G3/006 , C01P2002/34 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2004/04 , C01P2006/40 , C04B35/4508 , C04B35/62218 , C04B35/62222 , C04B2235/445 , C04B2235/449 , C04B2235/768 , C04B2235/787 , H01B12/16 , H01B13/0016 , H01F6/06 , H01L39/126 , H01L39/128 , H01L39/2425
Abstract: 实施方式的氧化物超导体具备氧化物超导层，该氧化物超导层含有单晶、2.0×1015原子/cc以上5.0×1019原子/cc以下的氟和1.0×1017原子/cc以上5.0×1020原子/cc以下的碳，所述单晶具有含有选自钇、镧、钕、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱及镥中的至少1种稀土类元素、钡、以及铜的连续的钙钛矿结构，钙钛矿结构的稀土元素的位点的一部分中含有镨，相对于至少1种稀土类元素与镨的总量，镨的摩尔比在0.00000001以上0.2以下。
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公开(公告)号：CN107408427A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680012999.9
申请日：2016-01-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01B12/06 , H01B12/00 , H01B13/00 , C04B35/45 , C04B35/624
CPC classification number: H01L39/126 , C04B35/4504 , C04B35/4508 , C04B35/62218 , C04B35/624 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3281 , C04B2235/449 , C04B2235/721 , C04B2235/724 , C04B2235/768 , H01L39/148 , H01L39/2425 , H01L39/2451 , H01B12/06 , H01B12/00 , H01B13/00
Abstract: 氧化物超导体包括：REBa2Cu3O7‐x(RE是选自Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Y、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的“RE元素组”中的一种元素)。所述RE包括至少三种类型的金属元素(M1、M2和M3)，并且所述三种类型的金属元素是按顺序选择的所述RE元素组中的任何元素。在满足R(M1)≤20mol％且R(M2)≥60mol％且R(M3)≤20mol％的氧化物体系中，R(M1)为M1+M2+M3中的M1的平均金属元素比，在包含所述c轴的横截面的平均膜厚度的50％的位置处满足SD(Ms)>0.15，Ms是R(M1)和R(M3)中非较大的金属元素，SD(Ms)是Ms的浓度的标准偏差/平均值。
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公开(公告)号：CN100385731C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200410006748.9
申请日：2004-02-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01P1/203
CPC classification number: H01P1/20372 , H01P1/20381 , H01P1/2053
Abstract: 一种滤波器电路，它具有复数模块和激励部分。该复数模块具有：第一模块端部谐振器；与所述第一模块端部谐振器耦合的第一谐振器；与所述第一谐振器耦合的第二谐振器；与所述第二谐振器耦合的第三谐振器；与所述第三谐振器耦合的第四谐振器；以及与所述第四谐振器耦合的第二模块端部谐振器。在所述第一模块端部谐振器和所述第二模块端部谐振器之间的耦合、在所述第一谐振器和所述第四谐振器之间的耦合以及在所述第二谐振器和所述第三谐振器之间的耦合同相。所述复数模块和激励部分为单通路耦合。
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公开(公告)号：CN1210835C
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN00129218.8
申请日：2000-09-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01P1/20363 , Y10S505/70 , Y10S505/701 , Y10S505/866
Abstract: 本发明公开了一种平面滤波器，包括：一个滤波器部件，它有由超导体薄膜形成的多个谐振元件和经电介质衬底上的间隙置于所说谐振元件的两个侧面的输入/输出部分；以及由磁性材料形成的一个调谐部件，所说调谐部件经一个预定的间隙置于所说滤波器部件的对面，而且对其施加一直流磁场。所说调谐部件包括介电常数调整部分，调整所说谐振元件之间的间隙边缘和所说输入/输出部分和所说谐振元件之间的间隙边缘中至少一个的有效介电常数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107922208A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680047826.0
申请日：2016-07-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01B12/06 , C01G1/02 , C01G3/00 , C01G3/006 , C01P2002/34 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2004/04 , C01P2006/40 , C04B35/4508 , C04B35/62218 , C04B35/62222 , C04B2235/445 , C04B2235/449 , C04B2235/768 , C04B2235/787 , H01B12/16 , H01B13/0016 , H01F6/06 , H01L39/126 , H01L39/128 , H01L39/2425
Abstract: 实施方式的氧化物超导体具备氧化物超导层，该氧化物超导层含有单晶、2.0×1015原子/cc以上5.0×1019原子/cc以下的氟和1.0×1017原子/cc以上5.0×1020原子/cc以下的碳，所述单晶具有含有选自钇、镧、钕、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱及镥中的至少1种稀土类元素、钡、以及铜的连续的钙钛矿结构，钙钛矿结构的稀土元素的位点的一部分中含有镨，相对于至少1种稀土类元素与镨的总量，镨的摩尔比在0.00000001以上0.2以下。
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公开(公告)号：CN103680759A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310388392.9
申请日：2013-08-30
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L39/24 , H01L39/2425
Abstract: 本发明的氧化物超导体的制造方法包括：溶解包含混合选自钇和镧系元素（其中不包括铈、镨、钷、钌）的金属以及钡和铜而得到的三氟乙酸盐的含氟羧酸盐，制备以包含甲醇的醇为溶剂的涂布溶液，在涂布溶液中，添加CF2H-(CF2)n-COOH或HOCO-(CF2)m-COOH（n、m为正整数）作为防裂纹剂，使用添加有防裂纹剂的涂布溶液，在基板上形成凝胶膜，以在3%以下的氧分压、200℃以上的工序的总计时间为7小时以下的方式，对凝胶膜进行预烧，形成预烧膜，对预烧膜进行主烧和氧退火，形成氧化物超导体的膜。
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公开(公告)号：CN103325936A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310082972.5
申请日：2013-03-15
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L39/128 , C04B35/4508 , C04B35/624 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3281 , C04B2235/449 , C04B2235/522 , C04B2235/5268 , C04B2235/5296 , C04B2235/6585 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/721 , C04B2235/724 , C04B2235/787 , H01L39/126 , H01L39/2425 , H01L39/2461 , Y10S505/704
Abstract: 根据一个实施方案，氧化物超导体包括取向超导体层和氧化物层。取向超导体层含有2.0×1016～5.0×1019个原子/cc的氟和1.0×1018～5.0×1020个原子/cc的碳。超导体层含有90%或更多的部分以10度或更低的面内取向度(Δφ)沿c-轴取向，并且含有LnBa2Cu3O7-x超导体材料(Ln为钇(Y)，或除铈(Ce)、镨(Pr)、钷(Pm)、和镥(Lu)以外的镧系元素)。氧化物层配置与超导体层的下表面接触，并且相对于超导体层的一个晶轴以10度或更低的面内取向度(Δφ)取向。与氧化物层接触的超导体层的下表面部分的面积为直接位于超导体层下面的区域面积的0.3或更低。
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公开(公告)号：CN1543009A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200410006748.9
申请日：2004-02-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01P1/203
CPC classification number: H01P1/20372 , H01P1/20381 , H01P1/2053
Abstract: 一种滤波器电路，它具有复数模块和激励部分。该复数模块具有：第一模块端部谐振器；与所述第一模块端部谐振器耦合的第一谐振器；与所述第一谐振器耦合的第二谐振器；与所述第二谐振器耦合的第三谐振器；与所述第三谐振器耦合的第四谐振器；以及与所述第四谐振器耦合的第二模块端部谐振器。在所述第一模块端部谐振器和所述第二模块端部谐振器之间的耦合、在所述第一谐振器和所述第四谐振器之间的耦合以及在所述第二谐振器和所述第三谐振器之间的耦合同相。所述复数模块和激励部分为单通路耦合。
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公开(公告)号：CN107408427B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201680012999.9
申请日：2016-01-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01B12/06 , H01B12/00 , H01B13/00 , C04B35/45 , C04B35/624
Abstract: 氧化物超导体包括：REBa2Cu3O7‐x(RE是选自Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Y、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的“RE元素组”中的一种元素)。所述RE包括至少三种类型的金属元素(M1、M2和M3)，并且所述三种类型的金属元素是按顺序选择的所述RE元素组中的任何元素。在满足R(M1)≤20mol％且R(M2)≥60mol％且R(M3)≤20mol％的氧化物体系中，R(M1)为M1+M2+M3中的M1的平均金属元素比，在包含所述c轴的横截面的平均膜厚度的50％的位置处满足SD(Ms)>0.15，Ms是R(M1)和R(M3)中非较大的金属元素，SD(Ms)是Ms的浓度的标准偏差/平均值。
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