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公开(公告)号：CN101636366A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200880008152.9
申请日：2008-03-11
IPC: C04B35/584 , F16C33/32
CPC classification number: F16C33/32 , C04B35/584 , C04B35/6261 , C04B35/6455 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3873 , C04B2235/3895 , C04B2235/402 , C04B2235/404 , C04B2235/5445 , C04B2235/6567 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/788 , C04B2235/96 , C22C29/16
Abstract: 氮化硅烧结体含有氮化硅粒子以及2～15质量％的烧结助剂成分。氮化硅粒子在氮化硅烧结体的结晶组织内具有面积比为50％以上的、长径(L)为10μm以下且长径(L)与短径(S)之比(L/S)为5以上的针状晶粒。氮化硅烧结体作为轴承滚珠(2)这样的滑动部件使用。
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公开(公告)号：CN1139117C
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN96190008.3
申请日：1996-03-19
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L23/3735 , C04B35/5935 , C04B37/021 , C04B37/026 , C04B2235/5445 , C04B2235/6565 , C04B2235/723 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2237/122 , C04B2237/368 , C04B2237/407 , C04B2237/70 , H01L22/12 , H01L23/15 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/83455 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种金属电路板粘接到具有热导率不小于60W/m·K的高导热氮化硅基片上的氮化硅电路板，其中高导热氮化硅基片的厚度Ds和所说金属电路板的厚度DM满足关系式Ds≤2DM。该氮化硅电路板的特征在于：当一负荷作用在支撑在50mm的支撑间隔处的电路板的中心部位直到所说氮化硅基片折断时，电路板的最大挠度不小于0.6mm。该氮化硅电路板的特征在于：对支撑在50mm的支撑间隔处的所说电路板进行抗折断试验，所说电路板的抗折断强度不小于500MPa。用直接键合法、活性金属钎焊法或金属化法将金属电路板或电路层整体地粘接在氮化硅基片上。上述配置的氮化硅基片，能够获得高热导率和极好的热辐射特性，并且能大大提高耐热循环特性。
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公开(公告)号：CN1145693A
公开(公告)日：1997-03-19
申请号：CN96190008.3
申请日：1996-03-19
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L23/3735 , C04B35/5935 , C04B37/021 , C04B37/026 , C04B2235/5445 , C04B2235/6565 , C04B2235/723 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2237/122 , C04B2237/368 , C04B2237/407 , C04B2237/70 , H01L22/12 , H01L23/15 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/83455 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种金属电路板粘接到具有热导率不小于60W/m·K的高导热氮化硅基片上的氮化硅电路板，其中高导热氮化硅基片的厚度Ds和所说金属电路板的厚度DM满足关系式Ds≤2DM。该氮化硅电路板的特征在于：当一负荷作用在支撑在50mm的支撑间隔处的电路板的中心部位直到所说氮化硅基片折断时，电路板的最大挠度不小于0.6mm。该氮化硅电路板的特征在于：对支撑在50mm的支撑间隔处的所说电路板进行抗折断试验，所说电路板的抗折断强度不小于500MPa。用直接键合法、活性金属钎焊法或金属化法将金属电路板或电路层整体地粘接在氮化硅基片上。上述配置的氮化硅基片，能够获得高热导率和极好的热辐射特性，并且能大大提高耐热循环特性。
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公开(公告)号：CN104768899B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201380056980.0
申请日：2013-10-21
IPC: C04B35/584 , F16C33/32
CPC classification number: C04B35/587 , C04B35/593 , C04B35/5935 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3826 , C04B2235/3839 , C04B2235/3865 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/767 , C04B2235/78 , C04B2235/786 , C04B2235/788 , C04B2235/85 , C04B2235/96 , C04B2235/963 , F16C33/145 , F16C33/32 , F16C33/62 , F16C2206/60
Abstract: 本发明提供一种氮化硅烧结体，其特征在于，包含氮化硅晶粒和晶界相，在拍摄该氮化硅烧结体的任意截面时，每100μm×100μm单位面积晶界相的面积比为15～35％。另外，所述每100μm×100μm单位面积的晶界相的面积比优选为15～25％。另外，氮化硅烧结体适于耐磨件。根据上述构成，可以提供加工性良好、滑动特性优良的氮化硅烧结体及使用其的耐磨件。
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公开(公告)号：CN104692806B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201510087828.X
申请日：2008-03-11
IPC: C04B35/584 , C04B35/63
CPC classification number: F16C33/32 , C04B35/584 , C04B35/6261 , C04B35/6455 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3873 , C04B2235/3895 , C04B2235/402 , C04B2235/404 , C04B2235/5445 , C04B2235/6567 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/788 , C04B2235/96 , C22C29/16
Abstract: 一种滑动部件，包括含有氮化硅粒子以及2质量％以上而15质量％以下的烧结助剂成分的氮化硅烧结体，滑动部件是轴承滚珠，在氮化硅烧结体中，作为烧结助剂成分，含有1质量％以上而6质量％以下的稀土类元素以及0.5质量％以上而6质量％以下的Al，还含有0.01质量％以上而5质量％以下的选自Ti、Zr、Hf、W、Mo、Ta、Nb和Cr的至少1种金属元素，该金属元素为单体或化合物形式，氮化硅粒子在氮化硅烧结体的结晶组织内具有面积比为50％以上而80％以下的针状晶粒，该针状晶粒的长径为10μm以下且长径与短径之比为5以上，氮化硅烧结体中的空隙的最大直径为3μm以下，空隙的数量在30×30μm的范围内为5个以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104768900B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201380057709.9
申请日：2013-12-06
IPC: C04B35/599 , F16C33/32
CPC classification number: F16C33/32 , C04B35/597 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3826 , C04B2235/3839 , C04B2235/3847 , C04B2235/3865 , C04B2235/3878 , C04B2235/3895 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , C04B2235/96 , C04B2235/963 , F16C2240/54
Abstract: 本发明提供一种氮化硅烧结体，其特征在于：在对氮化硅烧结体进行XRD分析时，当将在对应于六方晶系α-SiAlON结晶的29.6±0.3°和31.0±0.3°处检测出的最强峰值强度设定为I29.6°、I31.0°、另一方面将在对应于β-Si3N4结晶的33.6±0.3°、36.1±0.3°处检测出的最强峰值强度设定为I33.6°、I36.1°时，各最强峰值强度满足下述关系式：(I29.6°+I31.0°)/(I33.6°+I36.1°)＝0.10～0.30 (1)在所述氮化硅烧结体的任意断面中，每单位面积100μm×100μm的晶界相的面积比为25～40％，可加工系数为0.100～0.120。根据本发明，可以提供适合于滑动特性长期稳定的滑动构件的氮化硅烧结体以及使用该氮化硅烧结体的滑动构件。
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公开(公告)号：CN104692806A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510087828.X
申请日：2008-03-11
IPC: C04B35/584 , C04B35/63
CPC classification number: F16C33/32 , C04B35/584 , C04B35/6261 , C04B35/6455 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3873 , C04B2235/3895 , C04B2235/402 , C04B2235/404 , C04B2235/5445 , C04B2235/6567 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/788 , C04B2235/96 , C22C29/16
Abstract: 一种滑动部件，包括含有氮化硅粒子以及2质量％以上而15质量％以下的烧结助剂成分的氮化硅烧结体，滑动部件是轴承滚珠，在氮化硅烧结体中，作为烧结助剂成分，含有1质量％以上而6质量％以下的稀土类元素以及0.5质量％以上而6质量％以下的Al，还含有0.01质量％以上而5质量％以下的选自Ti、Zr、Hf、W、Mo、Ta、Nb和Cr的至少1种金属元素，该金属元素为单体或化合物形式，氮化硅粒子在氮化硅烧结体的结晶组织内具有面积比为50％以上而80％以下的针状晶粒，该针状晶粒的长径为10μm以下且长径与短径之比为5以上，氮化硅烧结体中的空隙的最大直径为3μm以下，空隙的数量在30×30μm的范围内为5个以下。
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公开(公告)号：CN103764596A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201280043049.4
申请日：2012-09-04
IPC: C04B35/584 , F16C19/02 , F16C33/32
CPC classification number: F16C19/06 , C04B35/5935 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3826 , C04B2235/3839 , C04B2235/3865 , C04B2235/3878 , C04B2235/3882 , C04B2235/3895 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/786 , C04B2235/85 , C04B2235/96 , C04B2235/963 , F16C33/32 , F16C2202/04 , F16C2202/10 , F16C2206/44 , F16C2206/60 , F16C2220/20
Abstract: 本发明提供氮化硅烧结体，实施方式的氮化硅烧结体含有：铝，以氧化物换算量计为2～10质量%的范围；R元素，为选自稀土元素中的至少一种，以氧化物换算量计为1～5质量%的范围；M元素，为选自IVA族元素、VA族元素和VIA族元素中的至少一种，以氧化物换算量计为1～5质量%的范围。铝的含量与R元素的含量之比以氧化物换算量计为2：1～5：1的范围，且铝的含量与M元素的含量之比以氧化物换算量计为2：1～10：1的范围。实施方式的氮化硅烧结体作为轴承滚珠这样的耐磨部件使用。
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公开(公告)号：CN1856454A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200480027732.4
申请日：2004-09-27
IPC: C04B35/584 , F16C33/30
CPC classification number: C04B35/64 , C04B35/584 , C04B35/5935 , C04B35/63 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3826 , C04B2235/3834 , C04B2235/3839 , C04B2235/3865 , C04B2235/3878 , C04B2235/3895 , C04B2235/5445 , C04B2235/661 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , C04B2235/94 , C04B2235/96 , C04B2235/963 , F16C33/30 , F16C33/62
Abstract: 一种氮化硅耐磨部件是由氮化硅烧结体形成的，该氮化硅烧结体含有以其氧化物计2－4质量％的用作烧结助剂的稀土元素、以其氧化物计2－6质量％的Al组分、及2－7质量％的碳化硅。该氮化硅烧结体具有1％或更低的孔隙率、800－1000MPa的三点弯曲强度、及5.7－6.6MPa·m1/2的断裂韧度。根据该结构，即使使用金属氮化方法制造的便宜的氮化硅粉末，也可以提供一种氮化硅耐磨部件及制造该部件的方法，该部件具有可与普通氮化硅烧结体相比或更高的机械强度、高的抗磨损特性和滚动寿命，且具有出色的可加工性。
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公开(公告)号：CN102951905A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210378592.1
申请日：2004-09-27
IPC: C04B35/584 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/64 , C04B35/584 , C04B35/5935 , C04B35/63 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3826 , C04B2235/3834 , C04B2235/3839 , C04B2235/3865 , C04B2235/3878 , C04B2235/3895 , C04B2235/5445 , C04B2235/661 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , C04B2235/94 , C04B2235/96 , C04B2235/963 , F16C33/30 , F16C33/62
Abstract: 一种氮化硅耐磨部件是由氮化硅烧结体形成的，该氮化硅烧结体含有以其氧化物计2-4质量%的用作烧结助剂的稀土元素、以其氧化物计2-6质量%的Al组分、及2-7质量%的碳化硅。该氮化硅烧结体具有1%或更低的孔隙率、800-1000MPa的三点弯曲强度、及5.7-6.6MPa·m1/2的断裂韧度。根据该结构，即使使用金属氮化方法制造的便宜的氮化硅粉末，也可以提供一种氮化硅耐磨部件及制造该部件的方法，该部件具有可与普通氮化硅烧结体相比或更高的机械强度、高的抗磨损特性和滚动寿命，且具有出色的可加工性。
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