公开(公告)号：CN105986252A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510555649.4

申请日：2015-09-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 三田浩史 ,  南云英一 ,  斋藤诚

IPC: C23C16/513

CPC classification number: B05B7/00 ,  B05B7/22 ,  C23C4/134

Abstract: 本发明的实施方式提供一种使成膜的再现性进一步提高的成膜装置以及成膜方法。根据实施方式，成膜装置具备等离子体枪、检测部及控制部。等离子体枪能够喷出等离子体气体，而在照射等离子体气体的加工对象物上形成膜。检测部检测等离子体气体喷出方向上的等离子体气体中的温度或发光强度。控制部根据从检测部取得的温度或发光强度，以使温度处于第1温度以上且第2温度以下的范围的等离子体气体、或发光强度处于第1发光强度以上且第2发光强度以下的范围的等离子体气体照射到加工对象物的方式，控制加工对象物与等离子体枪的距离。

公开(公告)号：CN111063629A

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201910126608.1

申请日：2019-02-20

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 三田浩史 ,  胡恺 ,  柴田浩延 ,  藤林孝次 ,  竖山佳邦 ,  薮井秀人

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明的实施方式提供一种具有能稳定地保持被处理基板的静电吸盘的制程装置。实施方式的制程装置具有：静电吸盘，配置在基板保持部，且包含电介质及配置在所述电介质内部的电极；电路，电连接于所述静电吸盘的所述电极；及第1接地线，电连接于所述电路。所述第1接地线经由绝缘性包覆层而被金属屏蔽。