公开(公告)号：CN100503249C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200580043262.5

申请日：2005-12-07

Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社

Inventor： 上野修敬 ,  西泰男 ,  梁田笃郎

IPC: B41J2/06

CPC classification number: B41J2/04576 ,  B41J2/04581 ,  B41J2/04588 ,  B41J2/06 ,  B41J2/14233 ,  B41J2002/14475

Abstract: 本发明涉及一种喷液头，其特征为，具备：喷嘴：喷出液体；和扁平喷嘴板：其上设置有上述喷嘴；和腔：贮藏从上述喷嘴的喷出孔所喷出的液体；和压力产生部：对上述喷嘴内的液体产生压力，而在上述喷嘴的喷出孔上形成液体的弯液面；和静电电压施加部：在上述喷嘴及上述腔内的液体与基材间，施加静电电压，而产生静电引力；和工作控制部：控制上述静电电压施加部所为的上述静电电压的施加、以及驱动上述压力产生部的驱动电压的施加；并且，上述喷嘴板的体积电阻率在1015Ωm以上。

公开(公告)号：CN101080324A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200580043262.5

申请日：2005-12-07

Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社

Inventor： 上野修敬 ,  西泰男 ,  梁田笃郎

IPC: B41J2/06

CPC classification number: B41J2/04576 ,  B41J2/04581 ,  B41J2/04588 ,  B41J2/06 ,  B41J2/14233 ,  B41J2002/14475

Abstract: 本发明涉及一种喷液头，其特征为，具备：喷嘴：喷出液体；和扁平喷嘴板：其上设置有上述喷嘴；和腔：贮藏从上述喷嘴的喷出孔所喷出的液体；和压力产生部：对上述喷嘴内的液体产生压力，而在上述喷嘴的喷出孔上形成液体的弯液面；和静电电压施加部：在上述喷嘴及上述腔内的液体与基材间，施加静电电压，而产生静电引力；和工作控制部：控制上述静电电压施加部所为的上述静电电压的施加、以及驱动上述压力产生部的驱动电压的施加；并且，上述喷嘴板的体积电阻率在1015Ωm以上。

公开(公告)号：CN101505967B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200780031677.X

申请日：2007-08-17

Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社

Inventor： 梁田笃郎 ,  土井勋

IPC: B41J2/135

CPC classification number: B41J2/162 ,  B41J2/1433 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1632 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1645 ,  B41J2/1646 ,  B41J2202/11 ,  Y10T29/49401

Abstract: 本发明涉及一种液体吐出头用喷嘴板的制造方法、液体吐出头用喷嘴板及液体吐出头。提供一种液体能够从吐出孔没有不均地良好吐出的廉价液体吐出头用喷嘴板。按以下记述顺序进行下述各工序：准备基板，在由Si构成的第1基材的一侧设Si各向异性干蚀刻时蚀刻速度慢于Si的第2基材，构成基板；在第2基材的表面形成成为第2蚀刻掩模的膜，在为第2蚀刻掩模的膜上，形成具有小径部开口形状的第2蚀刻掩模图案；进行蚀刻直至贯通第2基材为止；在第1基材的表面形成成为第1蚀刻掩模的膜；在为第1蚀刻掩模的膜上，形成具有大径部开口形状的第1蚀刻掩模图案；进行Si各向异性干蚀刻直至贯通第1基材为止。

公开(公告)号：CN101505967A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200780031677.X

申请日：2007-08-17

Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社

Inventor： 梁田笃郎 ,  土井勋

IPC: B41J2/135

CPC classification number: B41J2/162 ,  B41J2/1433 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1632 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1645 ,  B41J2/1646 ,  B41J2202/11 ,  Y10T29/49401

Abstract: 本发明涉及一种液体吐出头用喷嘴板的制造方法、液体吐出头用喷嘴板及液体吐出头。提供一种液体能够从吐出孔没有不均地良好吐出的廉价液体吐出头用喷嘴板。按以下记述顺序进行下述各工序：准备基板，在由Si构成的第1基材的一侧设Si各向异性干蚀刻时蚀刻速度慢于Si的第2基材，构成基板；在第2基材的表面形成成为第2蚀刻掩模的膜，在为第2蚀刻掩模的膜上，形成具有小径部开口形状的第2蚀刻掩模图案；进行蚀刻直至贯通第2基材为止；在第1基材的表面形成成为第1蚀刻掩模的膜；在为第1蚀刻掩模的膜上，形成具有大径部开口形状的第1蚀刻掩模图案；进行Si各向异性干蚀刻直至贯通第1基材为止。