公开(公告)号：CN1212237C

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN01134916.6

申请日：2001-11-14

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 桝井干生 ,  东启二

IPC: B41M5/26

CPC classification number: B41M5/267 ,  B44D5/00

Abstract: 在成形体表面上形成未固化的树脂合成物的涂敷膜层2，所述树脂合成物能够响应能量射束的辐照而固化。以能量射束辐照所述涂敷膜层2的所需部分。于是，以能量射束辐照的涂敷膜层2的部分被固化，形成表面装饰层3。

公开(公告)号：CN1361014A

公开(公告)日：2002-07-31

申请号：CN01134916.6

申请日：2001-11-14

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 桝井干生 ,  东启二

IPC: B41M5/26

CPC classification number: B41M5/267 ,  B44D5/00

Abstract: 在成形体表面上形成未固化的树脂合成物的涂敷膜层2,所述树脂合成物能够响应能量射束的辐照而固化。以能量射束辐照所述涂敷膜层2的所需部分。于是,以能量射束辐照的涂敷膜层2的部分被固化,形成表面装饰层3。

公开(公告)号：CN1871713A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200480031178.7

申请日：2004-11-11

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 福岛博司 ,  久保雅男 ,  井上章 ,  田中健一郎 ,  桝井干生 ,  松井真二

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/005 ,  H01L33/20 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种发光元件的生产方法，用于生产在透明晶体基板(2)上层积至少包括n型基板支持层(3)及p型基板支持层(4)的发光层的发光元件(1)，该生产方法包括在透明晶体基板(2)或发光层(3)、(4)的至少一部分形成转写层(5)的步骤，该转写层通过所供给的能量软化或固化；将形成有微小凹凸结构(61)的模具(6)按压在转写层(5)上，使该微小凹凸结构(61)转写至转写层(5)的外表面的步骤；基于被转写至转写层(5)的微小凹凸结构，形成防止多重反射的微小凹凸结构的步骤。

公开(公告)号：CN100472824C

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200480031178.7

申请日：2004-11-11

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 福岛博司 ,  久保雅男 ,  井上章 ,  田中健一郎 ,  桝井干生 ,  松井真二

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/005 ,  H01L33/20 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种发光元件的生产方法，用于生产在透明晶体基板(2)上层积至少包括n型基板支持层(3)及p型基板支持层(4)的发光层的发光元件(1)，该生产方法包括在透明晶体基板(2)或发光层(3)、(4)的至少一部分形成转写层(5)的步骤，该转写层通过所供给的能量软化或固化；将形成有微小凹凸结构(61)的模具(6)按压在转写层(5)上，使该微小凹凸结构(61)转写至转写层(5)的外表面的步骤；基于被转写至转写层(5)的微小凹凸结构，形成防止多重反射的微小凹凸结构的步骤。

公开(公告)号：CN1294396A

公开(公告)日：2001-05-09

申请号：CN00133003.9

申请日：2000-10-26

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 桝井干生 ,  东启二 ,  北村启明 ,  池川直人

IPC: H01H9/00 ,  H01H11/00

Abstract: 提高接触于能量照射部的触感,同时能量照射部具备明了又光泽感。借着雷射等能量照射加工文字或花样等的合成树脂所构成的开关构件。包含近旁路的能量照射部1的面粗糙,系对于周边部2的面粗糙在30倍以下。