公开(公告)号：CN102473606A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201180002849.7

申请日：2011-06-27

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 斋藤彻 ,  吉冈洋 ,  堀田定吉

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285

Abstract: 本发明提供一种结晶性半导体膜的制造方法以及结晶性半导体膜的制造装置。结晶性半导体膜的制造方法包括：第1工序，在基板的上方形成金属层；第2工序，对金属层进行图案形成，在多个像素(20)的各像素内形成栅电极；第3工序，在多个栅电极上形成栅极绝缘膜；第4工序，在栅极绝缘膜上形成非晶质半导体膜；以及第5工序，照射激光而使非晶质半导体膜结晶化，激光的激光照射宽度与像素(20)的宽度的n倍对应，n为2以上的整数，激光的激光照射宽度的一端部的激光能量强度比另一端部的激光能量强度高，在第5工序中，激光的激光能量强度构成为，激光照射宽度的一端部的激光能量强度和另一端部的激光能量强度按每n个像素而反转。