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发明公开
半导体存储装置无效

公开(公告)号：CN102105941A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200980128707.8

申请日：2009-07-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 里见胜治 , 寺野登志夫 , 竹村和浩 , 车田希总

IPC: G11C11/413 , G11C11/412

CPC classification number: G11C11/418 , G11C8/08

Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置。控制电路(11)在包括第1期间和接在第1期间之后的第2期间在内的字线驱动期间中，向字线(WL1、WL2)中的与写入对象的存储单元(MC1)对应的字线(WL1)提供字线驱动电压(WD1)，在第1期间中减少在写入对象的存储单元(MC1)中包含的负载晶体管(QLa、QLb)的电流能力，在第2期间中增加在写入对象的存储单元(MC1)中包含的负载晶体管(QLa、QLb)的电流能力。

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