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公开(公告)号：CN1669090A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN03817087.6
申请日：2003-07-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C7/20 , G11C7/1045
Abstract: 一种半导体存储器件包括含有非易失性存储单元的存储单元块(11)至(14)。存储单元块(11)至(14)包括用于存储包含半导体存储器件的操作参数的芯片数据的芯片数据存储区(11b)至(14b)，和用于存储对应于相应的芯片数据存储区，并且显示存储的芯片数据的有效性的通过标记的通过标记存储区(11c)至(14c)。芯片数据存储区存储相同的芯片数据。
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公开(公告)号：CN1637939B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200410082185.1
申请日：2004-12-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/401 , G11C7/00
CPC classification number: G11C17/18 , G11C29/785
Abstract: 提供了一种具有简单的电路结构并且能够随机访问熔断器数据的半导体存储装置。在本发明的半导体存储装置中，包含一个熔断器31的熔断器单元30与存储电路的一对位线连接。所述熔断器31和一个熔断器数据输出电路(其包含一个电阻器32和一个倒相器33)通过一个熔断器选择开关34与所述存储电路的一对位线BLT和BLB连接。在本发明的半导体存储装置中，通过把用于选择存储单元的一对位线的列解码器12也用作用于选择熔断器的解码器电路，可以将所述存储电路的位线用作用于输出熔断器数据的信号线，从而减小电路尺寸和减小电路面积。
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公开(公告)号：CN101483063A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200810160828.8
申请日：2008-09-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C11/22 , H01L27/11509 , H01L27/11592 , Y10T29/49002
Abstract: 本发明公开了一种半导体存储装置及其制造方法。包括铁电存储器(102)的半导体存储装置(10)还包括在高温下保持数据的能力比铁电存储器(102)在高温下保持数据的能力强的非易失性存储器(103)，以及进行切换而使铁电存储器(102)及非易失性存储器(103)互相连接或者不连接的连接电路(104)。铁电存储器(102)通过连接电路(104)接收并保持已写入非易失性存储器(103)中的、该装置特有的数据的至少一部分。因此，能够防止已写入铁电存储器中的信息通过铁电存储器的制造工序中的加热处理消失。
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公开(公告)号：CN100501867C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200610003714.3
申请日：2006-02-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C16/02
CPC classification number: G11C11/4076 , G11C7/1051 , G11C7/1063 , G11C2207/229
Abstract: 提供一种与SRAM兼容并且能够进行高速数据传输操作同时保持数据可靠性的半导体存储器件。当外部芯片使能信号XCE执行下降转换时开始访问存储核心6。同时，接收外部写使能信号XWE和外部地址信号ADD，并且选择与所接收的外部地址信号ADD相应的存储核心6中的存储单元1。当完成从存储单元1读出数据或将数据写入存储单元1时，根据外部芯片使能信号XCE的上升转换或外部写使能信号XWE的上升转换激活重写定时器7，用于执行存储单元1的数据重写。
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公开(公告)号：CN100437819C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200510072630.0
申请日：2005-05-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/22 , H01L27/10 , H01L27/105
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 一种铁电体存储装置，包括使用铁电体电容器存储数据的标准单元、产生基准电位的参考单元、把标准单元和基准电位的电位差放大的读出放大器、控制标准单元和参考单元和读出放大器的控制电路，把标准单元的字线(WL)非活性化，把第一铁电体电容器从第一位线(BL1)断开后，把位线预充电控制线活性化，通过驱动第一位线预充电电路(7)，把第一位线(BL1)放电。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1574074A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410048916.0
申请日：2004-06-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 村久木康夫
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 一种半导体存储器中，它采用为了产生基准电位而对基准单元电容能任意写入数据“0”、数据“1”的构成，并具有存储写入数据的非易失性电容。用这种构成可无需修正掩模而基准电位能微调，能提高成品率。另外，还具有能只改写基准单元电容的装置。用这种构成，能减小基准电位的误差，提高成品率。
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公开(公告)号：CN100442386C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200410048916.0
申请日：2004-06-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 村久木康夫
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 一种半导体存储器中，它采用为了产生基准电位而对基准单元电容能任意写入数据“0”、数据“1”的构成，并具有存储写入数据的非易失性电容。用这种构成可无需修正掩模而基准电位能微调，能提高成品率。另外，还具有能只改写基准单元电容的装置。用这种构成，能减小基准电位的误差，提高成品率。
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公开(公告)号：CN101064311A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710096582.8
申请日：2007-04-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L23/522
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 提供实现高速、小面积且低功耗的安装了强电介质的半导体存储器。具备：多个存储单元；各自共同地连接到在同一行中排列的多个存储单元上的多条位线(BL)；各自共同地连接到在同一列中排列的多个存储单元上的多条字线(WL)和极板线(CP)；在列方向上排列的多条极板电位供给线(CPS)；以及分别将该多条极板电位供给线与对应的多条极板线电连接的单元。用其电阻比极板线电阻低的材料构成极板电位供给线，用氢阻挡膜(HB)包围多个存储单元的电容器的各自的周围，在氢阻挡膜(HB)的下方配置多条极板电位供给线，在平面上看配置了氢阻挡膜的区域内并在同一极板线的多个部位上将多条极板电位供给线(CPS)与同一极板线电连接。
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公开(公告)号：CN1822228A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610003714.3
申请日：2006-02-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C16/02
CPC classification number: G11C11/4076 , G11C7/1051 , G11C7/1063 , G11C2207/229
Abstract: 提供一种与SRAM兼容并且能够进行高速数据传输操作同时保持数据可靠性的半导体存储器件。当外部芯片使能信号XCE执行下降转换时开始访问存储核心6。同时，接收外部写使能信号XWE和外部地址信号ADD，并且选择与所接收的外部地址信号ADD相应的存储核心6中的存储单元1。当完成从存储单元1读出数据或将数据写入存储单元1时，根据外部芯片使能信号XCE的上升转换或外部写使能信号XWE的上升转换激活重写定时器7，用于执行存储单元1的数据重写。
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公开(公告)号：CN1700473A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200510072630.0
申请日：2005-05-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L27/105 , G11C11/22
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 一种铁电体存储装置，包括使用铁电体电容器存储数据的标准单元、产生基准电位的参考单元、把标准单元和基准电位的电位差放大的读出放大器、控制标准单元和参考单元和读出放大器的控制电路，把标准单元的字线(WL)非活性化，把第一铁电体电容器从第一位线(BL1)断开后，把位线预充电控制线活性化，通过驱动第一位线预充电电路(7)，把第一位线(BL1)放电。
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