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公开(公告)号：CN100345307C
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200310124832.6
申请日：1999-06-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0847 , H01L29/0634 , H01L29/0638 , H01L29/0692 , H01L29/1045 , H01L29/105 , H01L29/66659 , H01L29/7835 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，包括：第1导电型半导体衬底；形成在上述半导体衬底内的第2导电型源极区；形成在上述半导体衬底内的第2导电型漏极区；在上述源极区和上述漏极区之间所设置的沟道区；以及形成在上述沟道区之上方的栅极电极，其特征在于：备有第1导电型埋入区，所述第1导电型埋入区的至少一部分被包含在上述漏极区内的多个部分，并且所述第一导电型埋入区为了使间隙区的配置方向沿着漏极电流的电流方向而呈直线排列。
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公开(公告)号：CN1518126A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN200310124832.6
申请日：1999-06-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0847 , H01L29/0634 , H01L29/0638 , H01L29/0692 , H01L29/1045 , H01L29/105 , H01L29/66659 , H01L29/7835 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，备有：第1导电型半导体衬底、形成在上述半导体衬底内的第2导电型源极区、形成在上述半导体衬底内的第2导电型漏极区、在上述源极区和漏极区之间所设置的沟道区以及形成在上述沟道区之上方的栅极电极；其特征在于：备有第1导电型埋入区，所述第1导电型埋入区的至少一部分被分成包含在上述漏极区内的多个部分，并且所述第1导电型埋入区为了使间隙区的配置方向沿着漏极电流的电流方向而呈直线排列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1722413A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510078579.4
申请日：2001-02-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G02B7/025 , G02B7/00 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01S5/02216 , H01S5/02228 , H01S5/0228 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种能够容易地供给胶粘剂的光电子装置。该装置具有光电子元件105、装载部107、围绕在装载部107周围的框架100、光学部件101。光学部件101放置在光学部件放置部109上；框架100具有一对第1侧壁201a、b和一对第2侧壁203a、b；第2侧壁203a、b具有切口部205a、b和凸部207a、b。光学部件101设置在凸部207a、b之间，并由填充在切口部205a、b中的胶粘剂固定。
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公开(公告)号：CN1216424C
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN00127021.4
申请日：2000-09-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L23/28
CPC classification number: H01L23/49568 , H01L23/49503 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L31/0203 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种引线框架，它具有：芯片安装区200、与芯片安装区连接的至少1条基础引线110、以及2条以上薄的第1内引线101；芯片安装区设有厚的芯片安装区本体部分203和设置在其周围的中等厚度的芯片安装区周边部分201，所说第1内引线101其前端部相对地配置在芯片安装区周边部分。由于有厚的芯片安装区，因而散热特性良好，同时由于引线薄，因而能够使引线小间距化。在箭头150所示的方向，通过压延形成厚度不同的带状区域后，进行冲压加工，就可以容易地制成这样的引线框架。
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公开(公告)号：CN1159770C
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN99107965.5
申请日：1999-06-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0847 , H01L29/0634 , H01L29/0638 , H01L29/0692 , H01L29/1045 , H01L29/105 , H01L29/66659 , H01L29/7835 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在延长漏极区(3)内部，形成P型埋入区(2)。用高能量硼离子注入法或者热扩散法形成P型埋入区(3)通过用离子注入法或POCl3扩散法，往延长漏极区的一部分表面或者整个表面掺入磷或砷等杂质，而形成N型高浓度区1。MOSFET动作时，由于漏极电流流过N型高浓度区(1)，所以通态电阻被减小了。
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公开(公告)号：CN100373595C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200510078579.4
申请日：2001-02-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G02B7/025 , G02B7/00 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01S5/02216 , H01S5/02228 , H01S5/0228 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种能够容易地供给胶粘剂的光电子装置。该装置具有光电子元件(105)、装载部(107)、围绕在装载部(107)周围的框架(100)、光学部件(101)。光学部件(101)放置在光学部件放置部(109)上；框架(100)具有一对第1侧壁(201a、b)和一对第2侧壁(203a、b)；第2侧壁(203a、b)具有切口部(205a、b)和凸部(207a、b)。光学部件(101)设置在凸部(207a、b)之间，并由填充在切口部(205a、b)中的胶粘剂固定。
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公开(公告)号：CN1215566C
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN01102322.8
申请日：2001-02-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G02B7/025 , G02B7/00 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01S5/02216 , H01S5/02228 , H01S5/0228 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种能够容易地供给胶粘剂的光电子装置。该装置具有光电子元件105、装载部107、围绕在装载部107周围的框架100、光学部件101。光学部件101放置在光学部件放置部109上；框架100具有一对第1侧壁201a、b和一对第2侧壁203a、b；第2侧壁203a、b具有切口部205a、b和凸部207a、b。光学部件101设置在凸部207a、b之间，并由填充在切口部205a、b中的胶粘剂固定。
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