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公开(公告)号：CN1523658A
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN200410002980.5
申请日：2004-01-21
Applicant: 株式会社瑞萨科技 , 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76808 , Y10T29/49117 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49144 , Y10T29/49155 , Y10T29/49165
Abstract: 提供一种抑制抗蚀剂图形的析像不良的发生，降低因析像不良引起的不良配线的发生的具有埋入多层配线结构的半导体装置。在形成达到蚀刻阻挡膜(4)的通孔(7)之后，在保持通孔(7)的开口状态不变的状态下，进行300～400℃的退火处理。退火方法可以采用热板方法，也可以采用热处理炉方法，为了对抑制制造完毕的下层配线(20)的影响，利用热板进行5分钟至10分钟的短时间加热。借此，将滞留在上部保护膜(6)与低介电常数层间绝缘膜(5)的界面上的副产物以及滞留在蚀刻阻挡膜(4)与低介电常数层间绝缘膜(5)的界面上的副产物放出，可以减少副产物的残留量。
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公开(公告)号：CN100426461C
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200480014864.3
申请日：2004-05-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70433 , G03F7/70625 , G03F7/70641
Abstract: 用不同的焦距值在第1基板上曝光形成多组包括由抗蚀剂膜构成的预定形状的凸图案和具有形状与上述凸图案相对应的间隙的凹图案的第1测量图案，测量上述多组第1测量图案的边缘倾斜量，根据上述边缘倾斜量与上述焦距值的对应关系(7)、(14)求出上述边缘倾斜量的焦距依存性(17)。在第2基板上形成包括上述凸图案和上述凹图案的第2测量图案，测量上述第2测量图案的边缘倾斜量，根据上述边缘倾斜量的焦距依存性从上述第2测量图案的边缘倾斜量算出上述第2测量图案曝光时焦距偏离最佳焦距的量。将上述凸图案和上述凹图案的间隙尺寸设定为不同的值，使各图案曝光时的最佳焦距值接近。
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公开(公告)号：CN1298045C
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200410002980.5
申请日：2004-01-21
Applicant: 株式会社瑞萨科技 , 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76808 , Y10T29/49117 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49144 , Y10T29/49155 , Y10T29/49165
Abstract: 提供一种具有埋入的多层配线结构的半导体器件的制造方法，抑制抗蚀剂图形的析像不良的发生，降低因析像不良引起的不良配线的发生。在形成达到蚀刻阻挡膜(4)的通孔(7)之后，在保持通孔(7)的开口状态不变的状态下，进行300～400℃的退火处理。退火方法可以采用热板方法，也可以采用热处理炉方法，为了对抑制制造完毕的下层配线(20)的影响，利用热板进行5分钟至10分钟的短时间加热。借此，将滞留在上部保护膜(6)与低介电常数层间绝缘膜(5)的界面上的副产物以及滞留在蚀刻阻挡膜(4)与低介电常数层间绝缘膜(5)的界面上的副产物放出，可以减少副产物的残留量。
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公开(公告)号：CN1799122A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200480014864.3
申请日：2004-05-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70433 , G03F7/70625 , G03F7/70641
Abstract: 用不同的焦距值在第1基板上曝光形成多组包括由抗蚀剂膜构成的预定形状的凸图案和具有形状与上述凸图案相对应的间隙的凹图案的第1测量图案，测量上述多组第1测量图案的边缘倾斜量，根据上述边缘倾斜量与上述焦距值的对应关系(7)、(14)求出上述边缘倾斜量的焦距依存性(17)。在第2基板上形成包括上述凸图案和上述凹图案的第2测量图案，测量上述第2测量图案的边缘倾斜量，根据上述边缘倾斜量的焦距依存性从上述第2测量图案的边缘倾斜量算出上述第2测量图案曝光时焦距偏离最佳焦距的量。将上述凸图案和上述凹图案的间隙尺寸设定为不同的值，使各图案曝光时的最佳焦距值接近。
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