公开(公告)号：CN101901849A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN201010190240.4

申请日：2010-05-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岩井誉贵 ,  竹原浩成

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022416 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 具有光电转换功能的光半导体装置，具备：半导体基板，该半导体基板包含第1导电型的半导体层，在所述第1导电型的半导体层上形成的、具有受光面的第2导电型的半导体层，从所述第2导电型的半导体层的上面贯通该第2导电型的半导体层内后与所述第1导电型的半导体层相接地形成的第1导电型的接触层；电极对，该电极对由在所述接触层上设置的第1电极和在所述第2导电型的半导体层上而且与所述第1电极离开的位置上设置的第2电极构成，旨在取出对射入所述受光面的光进行光电转换后获得的电流；绝缘膜，该绝缘膜在所述第2导电型的半导体层上，而且在所述第1电极和所述第2电极之间的区域设置；第3电极，该第3电极在所述绝缘膜上设置。

公开(公告)号：CN1933261A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200610127408.0

申请日：2006-09-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小原直树 ,  竹原浩成 ,  岩井誉贵 ,  安川久忠

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/40 ,  H01S5/022 ,  H01S5/026 ,  H01S5/028

CPC classification number: H01S5/40 ,  H01S5/026 ,  H01S5/4087

Abstract: 一种半导体激光单元，包括：激光发射部分，其包括具有不同激光束波长的多个半导体激光元件；镜面部分，其具有用于反射从该激光发射部分发射出来的激光束的光反射膜。该镜面部分被设计成多个区域，从多个半导体激光元件中的每个半导体激光元件发出的每束激光进入这些区域，同时在每个区域中，都提供有对选择性进入该区域的激光束具有高反射系数的反射膜。

公开(公告)号：CN1630150A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN200410100656.7

申请日：2004-12-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岩井誉贵

IPC: H01S5/026 ,  G11B7/125 ,  G11B7/135 ,  H01S3/101

CPC classification number: H01L31/153 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2924/10157 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02292

Abstract: 提供一种光半导体装置，包括：具有P型的半导体基板(1)、其上形成的P－型外延层(2)、在该上形成的具有N型的阴极表面层(16)、由P－型外延层及阴极表面层形成的光接收元件部分(220)、由在半导体基板及P－型外延层的除光接收元件部分外的区域选择性形成的沟槽部分形成的微反射镜区域(23)、在沟槽部分底面上固定的半导体激光芯片(25)。在半导体基板及P－型外延层之间的光接收元件部分的下侧，选择性地形成比半导体基板及P－型外延层杂质浓度还高的阳极埋层(1a)。这样，能将具有高速动作且高光接收灵敏度的光接收元件部分及搭载半导体激光芯片的发光元件部分形成于一块基板上。

公开(公告)号：CN101454906A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200780018999.0

申请日：2007-04-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岩井誉贵

IPC: H01L31/10 ,  H01L27/14 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8222

CPC classification number: H01L27/1443 ,  H01L27/0664 ,  H01L27/14683 ,  H01L31/10

Abstract: 一种光学半导体器件，其被提供有低浓度p型硅衬底(1)、低杂质浓度n型外延层(第二外延层)(26)、p型低杂质浓度阳极层(27)、高浓度n型阴极接触层(9)、由阳极层(27)和阴极接触层(9)构成的光电二极管(2)和形成在n型外延层(26)上的NPN晶体管(3)。通过使阳极层(27)的杂质浓度的峰值接近硅衬底(1)与n型外延层(26)之间的界面，阳极可以被基本完全耗尽。因此，可以获得高速度和高光接收灵敏度的特征，并且通过抑制来自埋层周边的自动掺杂的影响而在阳极中稳定地形成耗尽层。这样，对于短波长光具有高速度和高光接收灵敏度的光电二极管以及高速晶体管可以被混合安装在同一半导体衬底上。

公开(公告)号：CN101449389A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200780018744.4

申请日：2007-04-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岩井誉贵

IPC: H01L31/10 ,  H01L27/14 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8222

CPC classification number: H01L31/10 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/14681 ,  H01L27/14683

Abstract: 一种光学半导体器件，其被提供有被形成在低浓度p型硅衬底(1)上的低掺杂浓度的n型外延层(第二外延层)(24)；通过离子注入或类似方法被选择性地形成在n型外延层(24)中的低掺杂浓度的p型阳极层(第一扩散层)(25)；被形成在阳极层(25)上的高浓度n型阴极层(第二扩散层)(9)；包括阳极层(25)和阴极层(9)的光接收元件(2)；以及被形成在n型外延层(24)上的晶体管(3)。对于短波长光具有高速度和高光接收灵敏度的光电二极管以及高速度晶体管可以被混合安装在同一半导体衬底上。