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公开(公告)号：CN102482763B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201180003595.0
申请日：2011-06-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C23C14/24 , H01M4/1395
CPC classification number: C23C14/562 , C23C14/24 , C23C14/243 , C23C14/54 , H01M4/0423 , H01M4/139
Abstract: 本发明提供一种薄膜的制造方法，其可以避免成膜开始前不必要的成膜材料的飞散和沉积，并且可以实现使用喷嘴方式的蒸发源的稳定高效率的成膜。将蒸发室(16)和成膜室(17)真空排气，在通过传导可变结构(34)能够在两室间确保压差的状态，向蒸发室(16)中导入非反应气体，将该蒸发室内的压力调整至规定压力以上，抑制上述成膜材料的蒸发，在该状态下，向成膜室(17)中导入非反应气体，将该成膜室内的压力调整至规定压力以上，使传导可变结构(34)运行，将该状态解除后，通过移动机构(35)使蒸发源(19)移动，使开放面(14)接近基板(21)，使两室内的压力下降至低于规定压力，解除上述成膜材料的蒸发抑制，开始成膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102482762A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201180003592.7
申请日：2011-06-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C23C14/24 , H01M4/1395
CPC classification number: C23C14/24 , C23C14/243 , C23C14/542 , C23C14/562 , H01M4/0423 , H01M4/1391 , H01M4/1395
Abstract: 本发明提供一种薄膜的制造方法，其可以避免成膜结束后不必要的成膜材料的飞散和沉积，并且可以实现使用喷嘴方式的蒸发源的稳定高效的成膜。不利用传导可变结构(34)将蒸发室(16)和成膜室(17)之间遮断，将蒸发室(16)和成膜室(17)真空排气，并且在使保持加热过的成膜材料的蒸发源(19)的开放面(14)接近基板(21)，以该状态进行成膜，接着，向蒸发室(16)和成膜室(17)中导入非反应气体，将两室内的压力调节至规定压力以上，抑制成膜材料的蒸发，之后，利用移动机构(35)使蒸发源(19)移动，使开放面(14)远离基板(21)，使传导可变结构运行而将两室间遮断，边向蒸发室(16)继续导入非反应气体，边冷却成膜材料。
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公开(公告)号：CN102482762B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201180003592.7
申请日：2011-06-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C23C14/24 , H01M4/1395
CPC classification number: C23C14/24 , C23C14/243 , C23C14/542 , C23C14/562 , H01M4/0423 , H01M4/1391 , H01M4/1395
Abstract: 本发明提供一种薄膜的制造方法，其可以避免成膜结束后不必要的成膜材料的飞散和沉积，并且可以实现使用喷嘴方式的蒸发源的稳定高效的成膜。不利用传导可变结构(34)将蒸发室(16)和成膜室(17)之间遮断，将蒸发室(16)和成膜室(17)真空排气，并且在使保持加热过的成膜材料的蒸发源(19)的开放面(14)接近基板(21)，以该状态进行成膜，接着，向蒸发室(16)和成膜室(17)中导入非反应气体，将两室内的压力调节至规定压力以上，抑制成膜材料的蒸发，之后，利用移动机构(35)使蒸发源(19)移动，使开放面(14)远离基板(21)，使传导可变结构运行而将两室间遮断，边向蒸发室(16)继续导入非反应气体，边冷却成膜材料。
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公开(公告)号：CN102725884A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201180007433.4
申请日：2011-01-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 岛田隆司
CPC classification number: H01M4/70 , H01M4/0426 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/386 , H01M4/387 , H01M10/0525 , H01M2004/027
Abstract: 本发明的非水电解质二次电池具备负极、嵌入及脱嵌锂离子的正极、夹在上述负极与上述正极之间的多孔质绝缘层、和锂离子传导性非水电解质，所述负极具备在表面具有多个凸部的集电体、和被多个上述凸部支撑且含有合金系活性物质的粒状体，在彼此相邻的上述粒状体间具有空隙，上述粒状体是从上述凸部的表面向上述集电体的外方延伸且含有上述合金系活性物质的多个簇的集合体。
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公开(公告)号：CN102482763A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201180003595.0
申请日：2011-06-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C23C14/24 , H01M4/1395
CPC classification number: C23C14/562 , C23C14/24 , C23C14/243 , C23C14/54 , H01M4/0423 , H01M4/139
Abstract: 本发明提供一种薄膜的制造方法，其可以避免成膜开始前不必要的成膜材料的飞散和沉积，并且可以实现使用喷嘴方式的蒸发源的稳定高效率的成膜。将蒸发室(16)和成膜室(17)真空排气，在通过传导可变结构(34)能够在两室间确保压差的状态，向蒸发室(16)中导入非反应气体，将该蒸发室内的压力调整至规定压力以上，抑制上述成膜材料的蒸发，在该状态下，向成膜室(17)中导入非反应气体，将该成膜室内的压力调整至规定压力以上，使传导可变结构(34)运行，将该状态解除后，通过移动机构(35)使蒸发源(19)移动，使开放面(14)接近基板(21)，使两室内的压力下降至低于规定压力，解除上述成膜材料的蒸发抑制，开始成膜。
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公开(公告)号：CN102378826A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201080014488.3
申请日：2010-04-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/562 , C23C14/541
Abstract: 在使用气体冷却的成膜方法中，一边实现充分的冷却效果一边避免因气体导入导致成膜率下降和/或对真空泵施加过大的载荷。本发明的薄膜形成装置，具备：在薄膜形成区域(9)具有与基板(7)的背面接近的冷却面(10s)的冷却体(10)；以及向冷却面(10s)和基板(7)的背面之间导入气体的气体导入单元，冷却面在基板的宽度方向剖面中具有中央部比两端部向基板7的背面突出的形状。优选的是，冷却面具有在基板的宽度方向剖面中左右对称的形状，更优选地，具有由悬垂曲线表示的形状。
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