公开(公告)号：CN1129958C

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：CN97102155.4

申请日：1997-01-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中川聪 ,  伊东丰二 ,  尾藤阳二 ,  长野能久

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32136

Abstract: 在半导体衬底上依次形成器件绝缘膜、下白金膜、强电介质膜、上白金膜、钛膜和期望图形的光刻胶掩模。钛膜厚度设为上白金膜、强电介质膜和下白金膜总厚度的十分之一以上。用干蚀法刻蚀钛膜并用灰化处理除去光刻胶掩模。用已图形化的钛膜为掩模，应用把氧气的体积浓度设定为40%的氯与氧混合气体的等离子体的干蚀法刻蚀上白金膜、强电介质膜和下白金膜。由于钛膜被氧化故可得到高的刻蚀选择比。再用应用了氯气的等离子体的干蚀法除去钛膜。