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公开(公告)号：CN100459150C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200480001374.X
申请日：2004-04-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L29/7371 , H01L29/2003 , H01L29/7376
Abstract: 本发明的弹道半导体元件具有n型的发射极层(102)、由n型的InGaN构成的基极层(305)、n型的集电极层(307)、夹在上述发射极层(102)和上述基极层(305)之间并具有比上述基极层(305)的能带间隙大的能带间隙的发射极势垒层(103)、和夹在上述基极层(305)与上述集电极层(307)之间具有比上述基极层(305)的能带间隙大的能带间隙的集电极势垒层(306)，并在10GHz以上工作。
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公开(公告)号：CN1545634A
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN03800880.7
申请日：2003-01-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G02F1/015
CPC classification number: B82Y20/00 , G02F1/015 , G02F1/017 , G02F2202/32 , G02F2203/02 , G02F2203/10
Abstract: 本发明的调制器包括：第一导电型的第一半导体层(33)；与第一半导体层连接的第二导电型的第二半导体层(31)；第二导电型的第三半导体层(46)；在第二半导体层和第三半导体层之间形成的电介质层(111)；在电介质层中的具有多个导体片的天线电极(32)，该多个导体片整体形成网状，并在该网状的交点配置成相互分离且与第二半导体层和第三半导体层两者成接触状态；电连接所述第一半导体层的第一电极(8)；和电连接第三半导体层的第二电极(7)。
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公开(公告)号：CN1332453C
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN03809646.3
申请日：2003-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/80 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1029 , H01L29/2003 , H01L29/7785
Abstract: 本发明的等离子体振动开关元件包含：半导体基板(101)；在该基板上形成的由Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体构成的第一阻挡层(103)；在第一阻挡层上形成的由Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体构成的沟道层(104)；在沟道层上形成的由Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体半导体构成的第二阻挡层(105)；和在第二阻挡层上设置的源极电极(107)、栅极电极(109)以及漏极电极(108)，第一阻挡层具有n型扩散层(103a)，第二阻挡层具有p型扩散层(105a)，沟道层的能带间隙比第一及第二阻挡层的能带间隙小，在第一阻挡层和沟道层之间境界的传导带上积聚二维电子气EG，另一方，在第二阻挡层和沟道层境界的价电子带上积聚二维空穴气HG，各电极经绝缘层(106)在第二阻挡层上形成。
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公开(公告)号：CN1287397C
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN02102814.1
申请日：2002-01-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , B05D1/185 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01P2004/03 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2004/86 , C01P2006/33 , C01P2006/42 , C09C3/12 , G11B5/712 , G11B5/74 , G11B5/746 , G11B5/82 , G11B5/84 , G11B2005/0002 , G11C11/14 , G11C11/16 , G11C11/5671 , G11C2216/08 , H01F1/0306 , H01F1/047 , H01F10/007 , H01F10/123 , H01F41/305 , H01L29/42324 , Y10T428/1114 , Y10T428/1193 , Y10T428/24388 , Y10T428/24893 , Y10T428/2991 , Y10T428/2995 , Y10T428/2998 , Y10T428/31667
Abstract: 作为把微粒(30)固定到衬底(32)上边的排列体，在上述微粒(30)的表面上，形成与上述微粒的表面进行键合的有机涂敷膜(31)，在上述衬底(32)表面上形成与上述衬底表面进行键合的有机涂敷膜(33)，在上述微粒表面的有机涂敷膜(31)与上述衬底表面的有机涂敷膜(33)之间形成键(34)，使上述微粒固定排列在上述衬底上。由此，可以把纳米规模的微粒(30)排列到规定的位置上。此外，在应用于磁性粒子的情况下，可以得到使高记录密度成为可能的磁记录媒体，可以实现高密度磁记录再生装置。
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公开(公告)号：CN1698209A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200480000426.1
申请日：2004-06-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L29/0817 , H01L29/127 , H01L29/7371
Abstract: 本发明涉及半导体器件，该器件包括：一基板(101)；在该基板(101)上形成的多层半导体结构；该半导体多层结构包括发射极层(102)、基极层(105)和集电极层(107)，均由III－V族n型复合半导体构成并按此顺序成层；位于发射极层(102)和基极层(105)之间的量子点势垒层(103)；分别同集电极层(107)、基极层(105)和发射极层(102)相连的集电极电极(110)、基极电极(111)和发射极电极(112)；包括多个量子点(103c)的量子点势垒层(103)；被第一、第二势垒层(103a，103d)分别从发射极层一边和基极层一边夹着的量子点(103)；具有凸向基极层(105)的凸出部分的每个量子点(103c)；第二势垒层(103d)中的基极层(105)一侧界面(d1)，和在基极层(105)中集电极层一侧和发射极层一侧的界面(d2、d3)；界面具有对应量子点(103c)的凸出部分向集电极层(107)突出的弯曲部分(d12、d22、d23)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1692483A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200380100681.9
申请日：2003-10-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/203 , H01L21/205
Abstract: 本发明的异质场效应晶体管具有：InP基板(21)、经过缓冲层(22)在所述InP基板上形成的沟道层(23)、由具有比所述沟道层大的能带间隙的半导体构成并与该沟道层异质接合地形成的间隔层(25a)、和与所述间隔层邻接地形成的载流子供给层(26)，所述沟道层具有由化学式GaxIn1－xNyA1－y表示，所述A是As或Sb，所述组成x在0≤x≤0.2的范围内，并且所述组成y在0.03≤y≤0.10的范围内的化合物半导体构成的规定半导体层。
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公开(公告)号：CN1476638A
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN01819415.X
申请日：2001-11-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/778 , H04M1/00
CPC classification number: H01L27/0605 , H01L21/8252 , H01L29/2003 , H01L29/7785 , H03F3/601 , H03F2200/294
Abstract: 本发明缓和高耐压和低电阻的折衷，提供低耗电、高耐压半导体装置，及用这种装置的通信系统用机器。其解决方法为，HEMT，包括InP基板(201)上的，由InAlAs层(202)、InGaAs层(203)、n型掺杂层(204a)、及无掺杂层(204b)相互交错沉积而成的多重δ掺杂InAlAs层(204)、InP层(205)、肖特基栅电极(210)、源电极(209a)及漏电极(209b)。电流流过InGaAs层(203)内的多重δ掺杂InAlAs层(204)的界面附近区域(沟道区域)时，对于通过载流子供应层的多重δ掺杂InAlAs层(204)的载波移动电阻会降低，且可以提高非接通时的耐压。
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公开(公告)号：CN1383166A
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：CN02102814.1
申请日：2002-01-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , B05D1/185 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01P2004/03 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2004/86 , C01P2006/33 , C01P2006/42 , C09C3/12 , G11B5/712 , G11B5/74 , G11B5/746 , G11B5/82 , G11B5/84 , G11B2005/0002 , G11C11/14 , G11C11/16 , G11C11/5671 , G11C2216/08 , H01F1/0306 , H01F1/047 , H01F10/007 , H01F10/123 , H01F41/305 , H01L29/42324 , Y10T428/1114 , Y10T428/1193 , Y10T428/24388 , Y10T428/24893 , Y10T428/2991 , Y10T428/2995 , Y10T428/2998 , Y10T428/31667
Abstract: 作为把微粒(30)固定到衬底(32)上边的排列体,在上述微粒(30)的表面上,形成与上述微粒的表面进行键合的有机涂敷膜(31),在上述衬底(32)表面上形成与上述衬底表面进行键合的有机涂敷膜(33),在上述微粒表面的有机涂敷膜(31)与上述衬底表面的有机涂敷膜(33)之间形成键(34),使上述微粒固定排列在上述衬底上。由此,可以把纳米规模的微粒(30)排列到规定的位置上。此外,在应用于磁性粒子的情况下,可以得到使高记录密度成为可能的磁记录媒体,可以实现高密度磁记录再生装置。
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公开(公告)号：CN101681912B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200880015311.8
申请日：2008-11-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0002 , G11C2213/15 , G11C2213/34 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1246 , H01L45/146 , H01L45/1633 , Y10S977/773 , Y10S977/81 , Y10S977/943
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具备可利用简单且容易的工序实现的电流路径并能够微细化的电阻变化型非易失性存储元件。本发明的电阻变化型非易失性存储元件的特征在于，包括：第一电极(203)；在上述第一电极(203)上形成于且电阻根据施加电压而变化的氧化物半导体层(204a)；配置于上述氧化物半导体层(204a)上的、直径为2nm以上且10nm以下的金属纳米粒子(204b)；在上述氧化物半导体层(204a)上和上述金属纳米粒子(204b)上形成的隧道阻挡层(204c)；和在上述隧道阻挡层(204c)上形成的第二电极(206)，上述金属纳米粒子(204b)和上述氧化物半导体层(204a)接触。
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公开(公告)号：CN100456491C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200480000426.1
申请日：2004-06-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L29/0817 , H01L29/127 , H01L29/7371
Abstract: 本发明涉及半导体器件，该器件包括：一基板(101)；在该基板(101)上形成的多层半导体结构；该半导体多层结构包括发射极层(102)、基极层(105)和集电极层(107)，均由III-V族n型复合半导体构成并按此顺序成层；位于发射极层(102)和基极层(105)之间的量子点势垒层(103)；分别同集电极层(107)、基极层(105)和发射极层(102)相连的集电极电极(110)、基极电极(111)和发射极电极(112)；包括多个量子点(103c)的量子点势垒层(103)；被第一、第二势垒层(103a，103d)分别从发射极层一边和基极层一边夹着的量子点(103)；具有凸向基极层(105)的凸出部分的每个量子点(103c)；第二势垒层(103d)中的基极层(105)一侧界面(d1)，和在基极层(105)中集电极层一侧和发射极层一侧的界面(d2、d3)；界面具有对应量子点(103c)的凸出部分向集电极层(107)突出的弯曲部分(d12、d22、d23)。
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