-
公开(公告)号：CN101211911B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200710300466.3
申请日：2007-12-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L23/60 , H01L23/485
CPC classification number: H01L27/0292 , H01L23/50 , H01L23/528 , H01L23/544 , H01L27/0207 , H01L27/0928 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L2924/0002 , H03K3/354 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能够抑制随着电极焊盘的个数增加所引起的半导体芯片的尺寸的增加，并且不会导致静电放电的能力降低的半导体集成电路装置。外部连接用的多个电极焊盘(1a、1b)被配置为锯齿状。接近划线区域(3)侧的电极焊盘(1a)和输入输出单元(2)中，它们的划线区域(3)侧的端部的位置被设定为大致相同的位置而配置。配置针对静电放电的保护电路(6、7)，电源侧保护电路(7)、接地侧保护电路(6)从接近划线区域(3)一侧依次排列。电极焊盘(1a)与自己的输入输出单元(2)的接地侧保护电路(7)的中心位置相互间的隔离、以及电极焊盘(1b)和自己的输入输出单元(2)的接地侧保护电路(7)之间的中心位置相互间的隔离，短且在各输入输出单元(2)相互间为大致等距离，增强对静电放电的承受能力。
-
公开(公告)号：CN101471341A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810190208.9
申请日：2008-12-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 前出正人
CPC classification number: H01L23/5286 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/0203 , H01L2224/04042 , H01L2224/05001 , H01L2224/05073 , H01L2224/05093 , H01L2224/05096 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/48091 , H01L2224/48463 , H01L2224/49113 , H01L2224/49171 , H01L2224/4943 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01077 , H01L2924/01082 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明提供一种半导体芯片，在外围部锯齿状配置了3列以上的外部连接用焊盘，其可以抑制芯片面积，同时稳定提供电源或接地。其解决方案是将最外列配置的外部连接用焊盘(11)用作内部核心电路的电源用或接地用焊盘。从外侧起第2列上配置的外部连接用焊盘(12)通过与焊盘用金属同层的金属(15)来与该外部连接用焊盘(11)连接。对内部核心电路的电源供给布线的电阻为来自焊盘(11)的电阻R2与来自焊盘(12)的电阻(R3’+R3”)的并联电阻，其值比电阻R2小很多。由此，可以防止由内部核心电路的电源的电压降引起的电路的误动作。且需要的I/O单元(9a，9b)仅为2个。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101471341B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200810190208.9
申请日：2008-12-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 前出正人
CPC classification number: H01L23/5286 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/0203 , H01L2224/04042 , H01L2224/05001 , H01L2224/05073 , H01L2224/05093 , H01L2224/05096 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/48091 , H01L2224/48463 , H01L2224/49113 , H01L2224/49171 , H01L2224/4943 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01077 , H01L2924/01082 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明提供一种半导体芯片，在外围部锯齿状配置了3列以上的外部连接用焊盘，其可以抑制芯片面积，同时稳定提供电源或接地。其解决方案是将最外列配置的外部连接用焊盘(11)用作内部核心电路的电源用或接地用焊盘。从外侧起第2列上配置的外部连接用焊盘(12)通过与焊盘用金属同层的金属(15)来与该外部连接用焊盘(11)连接。对内部核心电路的电源供给布线的电阻为来自焊盘(11)的电阻R2与来自焊盘(12)的电阻(R3’+R3”)的并联电阻，其值比电阻R2小很多。由此，可以防止由内部核心电路的电源的电压降引起的电路的误动作。且需要的I/O单元(9a，9b)仅为2个。
-
公开(公告)号：CN111145986A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911041216.1
申请日：2019-10-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01F27/255 , H01F41/02
Abstract: 本发明提供兼顾高磁导率和高耐电压的压粉磁芯及其制造方法。压粉磁芯是包含软磁性组合物的粉末的压粉磁芯。上述软磁性组合物的粉末至少包含扁平度为3.0以上且6.0以下的椭圆体状的粉末。
-
公开(公告)号：CN101211911A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200710300466.3
申请日：2007-12-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L23/60 , H01L23/485
CPC classification number: H01L27/0292 , H01L23/50 , H01L23/528 , H01L23/544 , H01L27/0207 , H01L27/0928 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L2924/0002 , H03K3/354 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能够抑制随着电极焊盘的个数增加所引起的半导体芯片的尺寸的增加，并且不会导致静电放电的能力降低的半导体集成电路装置。外部连接用的多个电极焊盘(1a、1b)被配置为锯齿状。接近划线区域(3)侧的电极焊盘(1a)和输入输出单元(2)中，它们的划线区域(3)侧的端部的位置被设定为大致相同的位置而配置。配置针对静电放电的保护电路(6、7)，电源侧保护电路(7)、接地侧保护电路(6)从接近划线区域(3)一侧依次排列。电极焊盘(1a)与自己的输入输出单元(2)的接地侧保护电路(7)的中心位置相互间的隔离、以及电极焊盘(1b)和自己的输入输出单元(2)的接地侧保护电路(7)之间的中心位置相互间的隔离，短且在各输入输出单元(2)相互间为大致等距离，增强对静电放电的承受能力。
-
公开(公告)号：CN1305219C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200410101350.3
申请日：2004-12-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K19/0185 , H03K17/10
CPC classification number: H03K3/356113 , H03K17/102
Abstract: 在电平转换电路中，N型高压晶体管的门限电压被设置为低，其中低压电源VDD的电压加到N型高压晶体管的栅极。由低压电源VDD供电的输入信号IN经过反相器输入N型晶体管的栅极。因此，即使节点W3和W4的电势超出低压电源VDD的电压，也可避免从节点W3和W4经过反相器中的寄生二极管流到低压电源VDD的倒流电流。由各个栅极固定在低压电源VDD上的N型晶体管构成的保护电路位于两个N型高压晶体管N5和N6之间以及两个N型低压晶体管N1和N2之间，用于接收补偿信号IN和XIN，由此避免那些N型补偿信号接收晶体管损坏。
-
公开(公告)号：CN1630194A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200410101350.3
申请日：2004-12-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K19/0185 , H03K17/10
CPC classification number: H03K3/356113 , H03K17/102
Abstract: 在电平转换电路中，N型高压晶体管的门限电压被设置为低，其中低压电源VDD的电压加到N型高压晶体管的栅极。由低压电源VDD供电的输入信号IN经过反相器输入N型晶体管的栅极。因此，即使节点W3和W4的电势超出低压电源VDD的电压，也可避免从节点W3和W4经过反相器中的寄生二极管流到低压电源VDD的倒流电流。由各个栅极固定在低压电源VDD上的N型晶体管构成的保护电路位于两个N型高压晶体管N5和N6之间以及两个N型低压晶体管N1和N2之间，用于接收补偿信号IN和XIN，由此避免那些N型补偿信号接收晶体管损坏。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.031 seconds)
