公开(公告)号：CN108700905B

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201780014006.6

申请日：2017-03-07

Applicant: 松下半导体解决方案株式会社

Inventor： 持田礼司 ,  小野贵史

IPC: G05F1/56 ,  G11C16/06

Abstract: 调节器电路(101)具有第一停止状态、第二停止状态、以及工作状态，且具备：检测电路部(11)，对调节器电路(101)的输出电压的大小进行检测，将示出检测结果的反馈电压VFB输出到反馈节点；运算放大电路部(12)，对基准电压VREF与反馈节点的电压进行比较，并输出示出比较结果的电压；以及输出电路部(13)，按照运算放大电路部(12)的输出，生成输出电压，在第一停止状态与第二停止状态，反馈节点的状态不同，与从第一停止状态切换到工作状态时的过渡时间相比，从第二停止状态切换到工作状态时的过渡时间短。

公开(公告)号：CN107886985B

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201711272694.4

申请日：2014-02-17

Applicant: 松下半导体解决方案株式会社

Inventor： 中山雅义 ,  河野和幸 ,  持田礼司 ,  高桥桂太

IPC: G11C11/16 ,  G11C7/14 ,  G11C8/08 ,  G11C13/00 ,  G11C29/24 ,  H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C29/12

Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储装置。存储器阵列(10)除了分别包含单元晶体管(TC)和与该单元晶体管(TC)的一端连接的变阻元件(RR)的多个存储器单元(11)呈矩阵状配置之外，还具备具有MOS晶体管(MTC)的单元晶体管能力测定单元(12)。利用单元晶体管能力测定单元(12)，使变阻元件(RR)的低电阻状态以及高电阻状态的电阻值与单元晶体管(TC)的偏差无关地稳定化，从而非易失性半导体存储装置的读出特性以及可靠性特性得以提升。