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公开(公告)号:CN102980698B
公开(公告)日:2015-09-09
申请号:CN201210286981.1
申请日:2012-08-13
Applicant: 本田技研工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够抑制检测灵敏度的降低的磁致伸缩式转矩传感器。磁致伸缩式转矩传感器(41)具备:具有磁致伸缩膜(82)等磁致伸缩部的旋转轴(24);对磁致伸缩膜(82)进行励磁的励磁线圈(85、85);对磁致伸缩膜(82)的导磁率等磁特性的变化进行检测的检测线圈(85、85);至少包围励磁线圈(85、85)的周围的磁屏蔽件(54a)。旋转轴(24)由磁性材料构成。磁屏蔽件(54a)还包围不具有磁致伸缩部(82)的旋转轴(24)的部分的周围。磁屏蔽件(54a)在与励磁线圈(85、85)对应的部分上具有与旋转轴(24)的中心轴(CL)平行的狭缝(54as)。
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公开(公告)号:CN102980698A
公开(公告)日:2013-03-20
申请号:CN201210286981.1
申请日:2012-08-13
Applicant: 本田技研工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够抑制检测灵敏度的降低的磁致伸缩式转矩传感器。磁致伸缩式转矩传感器(41)具备:具有磁致伸缩膜(82)等磁致伸缩部的旋转轴(24);对磁致伸缩膜(82)进行励磁的励磁线圈(85、85);对磁致伸缩膜(82)的导磁率等磁特性的变化进行检测的检测线圈(85、85);至少包围励磁线圈(85、85)的周围的磁屏蔽件(54a)。旋转轴(24)由磁性材料构成。磁屏蔽件(54a)还包围不具有磁致伸缩部(82)的旋转轴(24)的部分的周围。磁屏蔽件(54a)在与励磁线圈(85、85)对应的部分上具有与旋转轴(24)的中心轴(CL)平行的狭缝(54as)。
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