公开(公告)号：CN104993006B

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201510269958.5

申请日：2015-05-22

Applicant: 暨南大学

Inventor： 谢伟广 ,  梁智敏 ,  苏明泽

IPC: H01L31/074 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种过渡金属氧化物‑硅异质结太阳能电池及其制备方法。该过渡金属氧化物‑硅异质结太阳能电池包括金属背电极、硅倒金字塔阵列、N型硅基底、硅金字塔阵列、空穴传输层和电池的正极；其中，所述的空穴传输层为过渡金属氧化物薄膜。本发明用过渡金属氧化物薄膜作为空穴传输层，一方面相对P型的共轭有机物作为空穴传输层，提高了太阳能电池的稳定性，降低了工艺上对封装的要求，从而降低了制造成本，另一方面相对传统的硅太阳能电池，不需要高温磷扩散及去扩散层等工艺，简化了工艺，大大节约了制造成本。另外，本发明还对硅基的表面进行甲基化处理，不仅提高了器件的性能，还提高了器件在空气中的稳定性。

公开(公告)号：CN104993006A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201510269958.5

申请日：2015-05-22

Applicant: 暨南大学

Inventor： 谢伟广 ,  梁智敏 ,  苏明泽

IPC: H01L31/074 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/074 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/032 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/186

Abstract: 本发明公开了一种过渡金属氧化物-硅异质结太阳能电池及其制备方法。该过渡金属氧化物-硅异质结太阳能电池包括金属背电极、硅倒金字塔阵列、N型硅基底、硅金字塔阵列、空穴传输层和电池的正极；其中，所述的空穴传输层为过渡金属氧化物薄膜。本发明用过渡金属氧化物薄膜作为空穴传输层，一方面相对P型的共轭有机物作为空穴传输层，提高了太阳能电池的稳定性，降低了工艺上对封装的要求，从而降低了制造成本，另一方面相对传统的硅太阳能电池，不需要高温磷扩散及去扩散层等工艺，简化了工艺，大大节约了制造成本。另外，本发明还对硅基的表面进行甲基化处理，不仅提高了器件的性能，还提高了器件在空气中的稳定性。