公开(公告)号：CN108140695B

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201680053313.0

申请日：2016-09-16

Applicant: 晶体公司

Inventor： 克雷格·莫 ,  J·R·格兰达斯基 ,  S·R·吉布 ,  L·J·斯高沃特 ,  佐藤恒輔 ,  森下朋浩

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/02 ,  H01L33/14 ,  H01L33/26 ,  H01L33/58

Abstract: 在各种实施例中，发光器件包括分级层，在分级层的一个或两个端点处具有组分偏移，以促进二维载流子气体的形成和极化掺杂，从而增强器件性能。

公开(公告)号：CN108140695A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680053313.0

申请日：2016-09-16

Applicant: 晶体公司

Inventor： 克雷格·莫 ,  J·R·格兰达斯基 ,  S·R·吉布 ,  L·J·斯高沃特 ,  佐藤恒輔 ,  森下朋浩

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/02 ,  H01L33/14 ,  H01L33/26 ,  H01L33/58

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/025 ,  H01L33/145 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  H01L33/405 ,  H01L33/46

Abstract: 在各种实施例中，发光器件包括分级层，在分级层的一个或两个端点处具有组分偏移，以促进二维载流子气体的形成和极化掺杂，从而增强器件性能。