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公开(公告)号:CN103219014A
公开(公告)日:2013-07-24
申请号:CN201310024847.9
申请日:2013-01-18
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/84 , G11B5/3116 , G11B5/3163 , G11B5/855 , H01L21/31116 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048
Abstract: 一种磁记录介质的制造方法,其包括:在非磁性基板(1)上形成磁性层(2)的工序;在磁性层(2)上形成掩模层(3)的工序;在掩模层(3)上形成被图案化为规定的形状的抗蚀剂层(4)的工序;使用抗蚀剂层(4),将掩模层(3)图案化为与该抗蚀剂层(4)对应的形状的工序;使用被图案化了的掩模层(3),将磁性层(2)图案化为与该掩模层(3)对应的形状的工序;和通过反应性等离子体蚀刻除去残存于磁性层(2)上的掩模层(3)的工序,反应性等离子体蚀刻在含有有机化合物的气氛中进行,所述有机化合物具有选自羟基、羰基、羟基羰基、烷氧基、醚基之中的至少一种或多种官能团。
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公开(公告)号:CN103219014B
公开(公告)日:2016-02-10
申请号:CN201310024847.9
申请日:2013-01-18
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/84 , G11B5/3116 , G11B5/3163 , G11B5/855 , H01L21/31116 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048
Abstract: 一种磁记录介质的制造方法,其包括:在非磁性基板(1)上形成磁性层(2)的工序;在磁性层(2)上形成掩模层(3)的工序;在掩模层(3)上形成被图案化为规定的形状的抗蚀剂层(4)的工序;使用抗蚀剂层(4),将掩模层(3)图案化为与该抗蚀剂层(4)对应的形状的工序;使用被图案化了的掩模层(3),将磁性层(2)图案化为与该掩模层(3)对应的形状的工序;和通过反应性等离子体蚀刻除去残存于磁性层(2)上的掩模层(3)的工序,反应性等离子体蚀刻在含有有机化合物的气氛中进行,所述有机化合物具有选自羟基、羰基、羟基羰基、烷氧基、醚基之中的至少一种或多种官能团。
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