公开(公告)号：CN119876672A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510077227.4

申请日：2025-01-17

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 周晓龙 ,  袁毅 ,  彭明军 ,  滕汶宋 ,  曹建春

IPC: C22C1/04 ,  C22C1/05 ,  C22C32/00 ,  B22F3/02 ,  B22F3/10 ,  C01G19/02 ,  C01G3/02

Abstract: 本发明公开一种利用水热合成与粉末冶金法制备SnO2@CuO增强银基复合材料的方法。本发明采用以聚乙二醇(PEG)为模板，通过水热法制备粒度可调控在50nm至1000nm范围内的SnO2粉末，然后将将所述SnO2粉末与CuSO4及NaOH反应，生成粒度在80nm至1100nm核壳结构的SnO2@CuO复合粉末；再将SnO2@CuO粉末与银粉按质量百分比10％至18％混合，并通过球磨工艺获得均匀的复合粉体；最后将复合粉体在200至600MPa的压制压力下成形，并在400℃至860℃范围内烧结，随后进行致密化处理，最终制备成高致密度达98％核壳结构的SnO2@CuO增强银基复合材料丝材或带材。本发明方法通过CuO壳介于界面润湿性差的SnO2与银基体之间，改善增强相与银基体的界面结合力，显著提升了复合材料的性能，更适用于高性能导电材料的制造。

公开(公告)号：CN115491539B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202211044123.6

申请日：2022-08-30

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 周晓龙 ,  滕汶宋 ,  刘满门

IPC: C22C5/06 ,  C22C1/05 ,  C22C32/00 ,  H01H1/0237

Abstract: 本发明属于金属基复合材料技术领域，具体涉及一种增强AgSnO2电接触材料及其制备方法。本发明所述增强AgSnO2电接触材料包括以下质量百分含量的组分：SnO210.0～11.5％；In2O31.8～2.3％；CuO0.8～1.3％；Bi2O30.8～1.7％；Bi2Sn2O71.3～4.5％；余量为银和不可避免的杂质。本发明提供的增强AgSnO2电接触材料有效提高了氧化物颗粒在银基体中的分散性，从而提高了增强AgSnO2电接触材料的致密度和电导率。

公开(公告)号：CN115491539A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202211044123.6

申请日：2022-08-30

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 周晓龙 ,  滕汶宋 ,  刘满门

IPC: C22C5/06 ,  C22C1/05 ,  C22C32/00 ,  H01H1/0237

Abstract: 本发明属于金属基复合材料技术领域，具体涉及一种增强AgSnO2电接触材料及其制备方法。本发明所述增强AgSnO2电接触材料包括以下质量百分含量的组分：SnO210.0～11.5％；In2O31.8～2.3％；CuO0.8～1.3％；Bi2O30.8～1.7％；Bi2Sn2O71.3～4.5％；余量为银和不可避免的杂质。本发明提供的增强AgSnO2电接触材料有效提高了氧化物颗粒在银基体中的分散性，从而提高了增强AgSnO2电接触材料的致密度和电导率。