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公开(公告)号：CN113740608B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202010469848.4
申请日：2020-05-28
Applicant: 昆山微电子技术研究院
IPC: G01R27/08
Abstract: 本发明公开了一种本发明所提供的CTLM比接触电阻测量装置，包括电压测试电路、电流测试电路及均压电路；所述均压电路包括外电极公共端及多条外电极引线，所述外电极引线的输入端连接于所述外电极公共端，输出端连接于CTLM待测结构的外电极外边缘；多条所述外电极引线的输出端在所述外电极边缘均匀分布；所述电压测试电路包括两个电压探针，两个所述电压探针分别用于连接所述CTLM待测结构的内电极及外电极；所述电流测试电路包括两个电流探针，两个所述电流探针分别用于连接所述CTLM待测结构的内电极及所述外电极公共端。本发明提高电势分布均匀性。本发明同时还提供了一种具有上述有益效果的比接触电阻测量设备。
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公开(公告)号：CN113884765B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202010628448.3
申请日：2020-07-02
Applicant: 昆山微电子技术研究院
IPC: G01R27/02
Abstract: 本申请公开了比接触电阻测量方法通过利用在衬底上设置有两个电极组的电极测试结构进行测试，其中每个电极组中电极数量相等、长度相等，但宽度不等，且两个电极组中对应的电极间距相等，得到每个电极组中相邻第一电极间电阻、相邻第二电极间电阻后，通过两个电极组中相邻电极间的电阻得到宽度差电阻，以大大减少处于每个间距以外的电流的影响，进而根据宽度差电阻和对应的间距拟合得到直线，根据直线进一步确定方块电阻和传输线长度，便可得到比接触电阻，由于利用上述电极测试结构计算宽度差电阻时减少了处于每个间距以外的电流的影响，所以使最终比接触电阻的测量精度提升。本申请还提供一种具有上述优点的装置、设备和计算机可读存储介质。
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公开(公告)号：CN111122978B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201811295869.8
申请日：2018-11-01
Applicant: 昆山微电子技术研究院
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明公开了一种电导率传感器，在衬底中设置有沿厚度方向贯穿衬底的通孔，该通孔会被设置在衬底表面的四个电极中的一个所覆盖，同时在该通孔中会设置有与电极电连接的引线。通过该通孔以及引线可以沿衬底厚度方向引出电极的电信号，从而避免引线与电极处于同一平面，进而使得设置在衬底表面的第二电极、第三电极以及第四电极可以呈完整的环形，保证测量时信号的稳定性。本发明还提供了一种导电率传感器的制备方法，所制备而成的电导率传感器同样具有上述有益效果。
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公开(公告)号：CN113884765A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202010628448.3
申请日：2020-07-02
Applicant: 昆山微电子技术研究院
IPC: G01R27/02
Abstract: 本申请公开了比接触电阻测量方法通过利用在衬底上设置有两个电极组的电极测试结构进行测试，其中每个电极组中电极数量相等、长度相等，但宽度不等，且两个电极组中对应的电极间距相等，得到每个电极组中相邻第一电极间电阻、相邻第二电极间电阻后，通过两个电极组中相邻电极间的电阻得到宽度差电阻，以大大减少处于每个间距以外的电流的影响，进而根据宽度差电阻和对应的间距拟合得到直线，根据直线进一步确定方块电阻和传输线长度，便可得到比接触电阻，由于利用上述电极测试结构计算宽度差电阻时减少了处于每个间距以外的电流的影响，所以使最终比接触电阻的测量精度提升。本申请还提供一种具有上述优点的装置、设备和计算机可读存储介质。
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公开(公告)号：CN113740608A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202010469848.4
申请日：2020-05-28
Applicant: 昆山微电子技术研究院
IPC: G01R27/08
Abstract: 本发明公开了一种本发明所提供的CTLM比接触电阻测量装置，包括电压测试电路、电流测试电路及均压电路；所述均压电路包括外电极公共端及多条外电极引线，所述外电极引线的输入端连接于所述外电极公共端，输出端连接于CTLM待测结构的外电极外边缘；多条所述外电极引线的输出端在所述外电极边缘均匀分布；所述电压测试电路包括两个电压探针，两个所述电压探针分别用于连接所述CTLM待测结构的内电极及外电极；所述电流测试电路包括两个电流探针，两个所述电流探针分别用于连接所述CTLM待测结构的内电极及所述外电极公共端。本发明提高电势分布均匀性。本发明同时还提供了一种具有上述有益效果的比接触电阻测量设备。
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