公开(公告)号：CN101328615B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200810072867.2

申请日：2008-04-28

Applicant: 新疆大学

Inventor： 简基康 ,  尚飞 ,  孙言飞 ,  吴荣 ,  郑毓峰

IPC: C30B29/48 ,  C30B29/62 ,  C30B23/00

Abstract: 本发明公开了一种催化剂辅助真空热蒸发制备II-VI族半导体化合物CdTe纳米结构的方法。通过使用金属Bi粉末做催化剂，以CdTe粉末为原料，在真空度为2×10-2×10-3Pa的真空环境下，热蒸发原料，在衬底上催化生长纳米结构的CdTe薄膜。该方法操作简单易行，无需载气，具有沉积面积大、形貌较均匀、适用于多种衬底的特点。

公开(公告)号：CN101328615A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810072867.2

申请日：2008-04-28

Applicant: 新疆大学

Inventor： 简基康 ,  尚飞 ,  孙言飞 ,  吴荣 ,  郑毓峰

IPC: C30B29/48 ,  C30B29/62 ,  C30B23/00

Abstract: 本发明公开了一种催化剂辅助真空热蒸发制备Ⅱ－Ⅵ族半导体化合物CdTe纳米结构的方法。通过使用金属Bi粉末做催化剂，以CdTe粉末为原料，在真空度为2×10－2－2×10－3Pa的真空环境下，热蒸发原料，在衬底上催化生长纳米结构的CdTe薄膜。该方法操作简单易行，无需载气，具有沉积面积大、形貌较均匀、适用于多种衬底的特点。