公开(公告)号：CN104137251B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201280070852.7

申请日：2012-02-28

Applicant: 新日本无线株式会社

Inventor： 松本英显 ,  山下顺 ,  江刺家健司 ,  杉野高夫

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L27/0248 ,  H01L27/0262 ,  H01L27/0623

Abstract: 本发明提供一种具备ESD保护元件的半导体装置，其能够以抑制尺寸扩大、不需要附加工序、不会导致半导体装置的性能降低的方式形成，该装置包括：半导体基板(1)、包括由在其上形成的与该基板不同导电型的区域(2)形成的PN结的电路元件(10)、以及其保护元件(11)。该保护元件其他区域(6)以及半导体基板(1)形成的晶体管，其发射极与半导体基板(1)连接。(11)是由上述区域(2)、与该区域相同导电型的

公开(公告)号：CN104137251A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201280070852.7

申请日：2012-02-28

Applicant: 新日本无线株式会社

Inventor： 松本英显 ,  山下顺 ,  江刺家健司 ,  杉野高夫

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L27/0248 ,  H01L27/0262 ,  H01L27/0623

Abstract: 本发明提供一种具备ESD保护元件的半导体装置，其能够以抑制尺寸扩大、不需要附加工序、不会导致半导体装置的性能降低的方式形成，该装置包括：半导体基板(1)、包括由在其上形成的与该基板不同导电型的区域(2)形成的PN结的电路元件(10)、以及其保护元件(11)。该保护元件(11)是由上述区域(2)、与该区域相同导电型的其他区域(6)以及半导体基板(1)形成的晶体管，其发射极与半导体基板(1)连接。

公开(公告)号：CN208028042U

公开(公告)日：2018-10-30

申请号：CN201790000368.5

申请日：2017-08-23

Applicant: 株式会社村田制作所 ,  新日本无线株式会社

Inventor： 中矶俊幸 ,  松枝齐 ,  铃木隆信 ,  梶原健二 ,  松本英显

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/329 ,  H01L21/76 ,  H01L23/12 ,  H01L27/04 ,  H01L29/861 ,  H01L29/866 ,  H01L29/868

Abstract: 本实用新型提供半导体器件。半导体器件(100)具备：基板(20)，其具有第一主面(10A)、第二主面(20B)以及侧表面；元件区域(40)，在基板(20)上设置于第一主面(10A)侧，形成有半导体元件；以及布线层(90)，其设置于第一主面(10A)上，包括与半导体元件形成电连接的多个端子电极(80A、80B)，基板(10)具有在对第一主面(10A)俯视观察下形成于基板(10)的周缘的多个周缘区域(30A、30B)，在对第一主面(10A)俯视观察下，多个端子电极(80A、80B)分别与多个周缘区域(30A、30B)各自相邻，在对第一主面(10A)俯视观察下，多个端子电极(80A、80B)和元件区域(40)位于比多个周缘区域(30A、30B)靠内侧位置，多个周缘区域(20A、30B)彼此绝缘，元件区域(40)和多个端子电极(80A、80B)与多个周缘区域(30A、30B)绝缘。