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公开(公告)号：CN118801843A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202411281585.9
申请日：2024-09-13
Applicant: 成都信息工程大学 , 四川泊微科技有限公司
Abstract: 本发明涉及射频集成技术领域，公开一种宽带调幅调相电路，包括以此连接的输入缓冲器、单级CML动态正交二分频器，依次连接的Q路电感补偿源跟随器、Q路单级低损耗调幅衰减器、Q路电感补偿共栅极放大器，依次连接的I路电感补偿源跟随器、I路单级低损耗调幅衰减器、I路电感补偿共栅极放大器；Q路电感补偿共栅极放大器和I路电感补偿共栅极放大器共同输出信号。本发明保证宽带内调幅调相功能，且降低电路损耗。
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公开(公告)号：CN108511449B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201810208513.X
申请日：2018-03-14
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/1157 , H01L27/11578
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，具体的说是一种三维NAND型存储器下选择管的实现方法。包括以下步骤：采用各向异性蚀刻进行存储管蚀刻，使存储管沟道蚀刻至下选择管和衬底的边界处；采用各向同性蚀刻进行下选择管蚀刻，使下选择管拐角处形成圆弧状的栅氧结构；将多晶硅填充或单晶硅外延生长至上述蚀刻形成的沟道内。本发明将应用于三维存储器的下选择管结构，采用各项同性的干法蚀刻来实现该结构，其结构能在下选择管和衬底转角处形成更小的栅氧厚度，实现更大的导通电流，更好的器件特性。
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公开(公告)号：CN118232847A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410648166.8
申请日：2024-05-23
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种宽带高增益高线性度分布式放大器，包括DDA级分布式放大器单元和DPA级分布式放大器单元，所述DDA级分布式放大器单元与所述DPA级分布式放大器单元级联，所述DDA级分布式放大器单元的输入端作为所述宽带高增益高线性度分布式放大器的输入端，所述DPA级分布式放大器单元的输出端作为所述宽带高增益高线性度分布式放大器的输出端，本发明通过不同偏置和不同栅极电感的分布式放大器的级联，实现带宽展宽的高增益高线性度分布式放大器。
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公开(公告)号：CN119628576A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202510169727.0
申请日：2025-02-17
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种高鲁棒性分布式放大器，属于通讯电路设计技术领域，分布式放大器为四级放大电路的Cascode架构，在每级放大电路中，共栅晶体管的栅极通过一个栅极电感与可重构电容的一端连接，可重构电容的另一端接地；可重构电容在不同工艺角、电源电压和温度下调节为不同电容值。本发明中的可重构电容在不同的工艺角、电源电压和温度下可以调节为不同的电容值，可以和栅极电感共同作用，对劈裂的极点位置进行调整，使得放大器工作在增益最高、带宽最宽并且不发生振荡的区域。
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公开(公告)号：CN118646374A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202411096663.8
申请日：2024-08-12
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本申请提供一种片上电容带宽展宽电路及电子设备，属于集成电路技术领域。该片上电容带宽展宽电路，包括放大电路、隔直片上电容Cb以及衬底隔离电阻Rb，放大电路的输入端和输出端均连接有隔直片上电容Cb，隔直片上电容Cb的衬底端和衬底之间连接有衬底隔离电阻Rb。本申请提出的带宽展宽技术，在片上电容的衬底端和衬底之间增加衬底隔离电阻，使得片上电容的衬底端和衬底之间不直接相连，能有效降低高频损耗，从而起到将片上电容带宽展宽的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108511449A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810208513.X
申请日：2018-03-14
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/1157 , H01L27/11578
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，具体的说是一种三维NAND型存储器下选择管的实现方法。包括以下步骤：采用各向异性蚀刻进行存储管蚀刻，使存储管沟道蚀刻至下选择管和衬底的边界处；采用各向同性蚀刻进行下选择管蚀刻，使下选择管拐角处形成圆弧状的栅氧结构；将多晶硅填充或单晶硅外延生长至上述蚀刻形成的沟道内。本发明将应用于三维存储器的下选择管结构，采用各项同性的干法蚀刻来实现该结构，其结构能在下选择管和衬底转角处形成更小的栅氧厚度，实现更大的导通电流，更好的器件特性。
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公开(公告)号：CN118801843B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411281585.9
申请日：2024-09-13
Applicant: 成都信息工程大学 , 四川泊微科技有限公司
Abstract: 本发明涉及射频集成技术领域，公开一种宽带调幅调相电路，包括以此连接的输入缓冲器、单级CML动态正交二分频器，依次连接的Q路电感补偿源跟随器、Q路单级低损耗调幅衰减器、Q路电感补偿共栅极放大器，依次连接的I路电感补偿源跟随器、I路单级低损耗调幅衰减器、I路电感补偿共栅极放大器；Q路电感补偿共栅极放大器和I路电感补偿共栅极放大器共同输出信号。本发明保证宽带内调幅调相功能，且降低电路损耗。
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公开(公告)号：CN118473375B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410918378.3
申请日：2024-07-10
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种跨倍频程高精度正交产生电路及电子设备。包括无源正交产生电路、可重构正交产生电路和正交鉴相器PD。无源正交产生电路包括驱动放大器DA1、无源正交产生器、第一选通开关、I路buffer和校准变容管CV。可重构正交产生电路包括驱动放大器DA2、可重构正交二分频器、第二选通开关和Q路buffer。I路和Q路的输出均与正交鉴相器PD的输入端电性连接，正交鉴相器PD的输出端设有直流电阻Rb，直流电阻Rb的输出端电性连接于校准变容管CV的正端。其以较小面积和功耗实现高精度跨倍频程正交信号的产生，降低了电路复杂度，实现快速的正交相位校准，提升了正交信号的相位精度。
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公开(公告)号：CN118473375A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410918378.3
申请日：2024-07-10
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种跨倍频程高精度正交产生电路及电子设备。包括无源正交产生电路、可重构正交产生电路和正交鉴相器PD。无源正交产生电路包括驱动放大器DA1、无源正交产生器、第一选通开关、I路buffer和校准变容管CV。可重构正交产生电路包括驱动放大器DA2、可重构正交二分频器、第二选通开关和Q路buffer。I路和Q路的输出均与正交鉴相器PD的输入端电性连接，正交鉴相器PD的输出端设有直流电阻Rb，直流电阻Rb的输出端电性连接于校准变容管CV的正端。其以较小面积和功耗实现高精度跨倍频程正交信号的产生，降低了电路复杂度，实现快速的正交相位校准，提升了正交信号的相位精度。
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公开(公告)号：CN118646374B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411096663.8
申请日：2024-08-12
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本申请提供一种片上电容带宽展宽电路及电子设备，属于集成电路技术领域。该片上电容带宽展宽电路，包括放大电路、隔直片上电容Cb以及衬底隔离电阻Rb，放大电路的输入端和输出端均连接有隔直片上电容Cb，隔直片上电容Cb的衬底端和衬底之间连接有衬底隔离电阻Rb。本申请提出的带宽展宽技术，在片上电容的衬底端和衬底之间增加衬底隔离电阻，使得片上电容的衬底端和衬底之间不直接相连，能有效降低高频损耗，从而起到将片上电容带宽展宽的目的。
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