一种三电极结构及硅微米柱列的分布优化方法

    公开(公告)号:CN119805012A

    公开(公告)日:2025-04-11

    申请号:CN202411628128.2

    申请日:2024-11-14

    Abstract: 本发明公开了一种三电极结构,其中有收集极、引出极和阴极,还有硅微米柱;还公开了一种硅微米柱列的分布优化方法,增加了收集极采集到的电流。本发明装置通过采用新型三电极结构,能够有效提升电场传感器的灵敏度、稳定性和抗干扰能力。硅微米柱能够更好地适应复杂环境中的电场测量,减少外界噪声的影响,确保数据的稳定性与准确性。此外,硅微米柱的均匀分布和优化方法还能够进一步提高电流收集效率,优化电极的性能,适应不同应用场景的需求。本发明不仅在电场传感器的灵敏度和稳定性上具有显著提升,而且在抗干扰能力方面也表现出色,能够满足更高要求的电场测量任务,具有广泛的应用前景。

    一种磁屏蔽结构
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119789771A

    公开(公告)日:2025-04-08

    申请号:CN202411628123.X

    申请日:2024-11-14

    Abstract: 本发明公开了一种磁屏蔽结构,属于传感器技术领域;该磁屏蔽结构,包括,膜堆单元,所述膜堆单元从下至上依次包括底反铁磁钉扎层、反磁铁层、势垒层、自由层、软磁层和钉扎层;隧穿磁阻单元,设置在所述膜堆单元下方;基板,所述隧穿磁阻单元和膜堆单元均设置在所述基板上;所述自由层的材质为CoFeB,其厚度为2nm;所述软磁层的材质为NiFe,其厚度为30nm;该磁屏蔽结构,通过控制坡莫合金的厚度来实现磁屏蔽效果,在不增加很多体积的情况下实现高的磁屏蔽倍数,同时实现宽量程的测量范围。

    一种以泡沫铝作为欧姆接触电极材料的核电池

    公开(公告)号:CN119724667A

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202411619890.4

    申请日:2024-11-13

    Abstract: 本发明公开了一种以泡沫金属作为欧姆接触电极材料的核电池,包括,选用泡沫金属代替之前所用的金属作为电极材料,并通过匹配金属的逸出功与半导体的电子亲和势选择合适的半导体材料作为换能器件的材料。放射源从P层摄入,通过辐射电离效应,产生电子空穴对,在内建电场的作用下,形成电流,实现放射性同位素源的衰变能向电能的转变;降低了β辐射伏特效应核电池由于金属导电材料为β辐射伏特效应核电池提供欧姆接触电极和向外界输送电流所需要的电网栅所带来的不利影响,提高了β辐射伏特效应核电池的转换效率,提高了核电池的放射性同位素源的衰变粒子进入换能器件的数量,提高了进入换能器件的衰变能,进而提高了核电池的输出性能。

    一种双层反常霍尔效应薄膜材料、制备方法及传感器

    公开(公告)号:CN119716678A

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202411626591.3

    申请日:2024-11-14

    Abstract: 本发明涉及磁场检测技术领域,特别是一种双层反常霍尔效应薄膜材料、制备方法及传感器。双层反常霍尔效应薄膜材料包括底层反常霍尔效应薄膜;中间绝缘层;上层反常霍尔效应薄膜;上层保护层。本发明的双层反常霍尔效应薄膜材料及其传感器通过引入绝缘层实现应变调控磁各向异性,具有结构简单、灵敏度高、测量范围广的优点,并且通过在垂直方向上施加电压,可以调控整体量程,适用于多种磁场检测应用场景。该传感器不仅在传统的工业和电子领域具有广泛应用前景,还在未来的智能化、微型化电子设备中具有重要的应用潜力。通过优化材料和结构设计,本发明为高性能磁场传感器的开发提供了新的思路和方法。

    一种智能传感器全自动校准装置
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119334391A

    公开(公告)日:2025-01-21

    申请号:CN202411103849.1

    申请日:2024-08-13

    Abstract: 本发明涉及传感器校验技术领域,尤其是一种智能传感器全自动校准装置,包括:支架、设置在所述支架上的中段夹持组件,以及设置在所述支架上的扶持组件;调节单元,包括设置在所述支架上的滑动组件、设置在所述支架上的驱动组件、设置在所述支架上的传动组件,以及设置在所述支架上的稳固组件。校验单元可快速将传感器进行无损夹持支撑,且可将传感器保持水平状态,且调节单元可对校验单元的扶持组件进行移动,使得扶持组件可进行调节,使得扶持组件可夹持不同规格传感器的端部,且在调节时,其传感器不会发生偏移,保持传感器中段始终被中段固定圈的夹持板所夹持,使得不同规格的传感器均可保持水平状态,提高了传感器后续的校验精度。

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