电平变换电路
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101304252B

    公开(公告)日:2010-12-08

    申请号:CN200810093012.8

    申请日:2005-03-24

    Inventor: 永田恭一

    CPC classification number: H03K19/018521 H03K19/0013

    Abstract: 独立的控制信号被传输到驱动器控制单元和输出晶体管的每一个,以便防止驱动器控制单元和输出晶体管在同时工作并且减小直通电流。因为晶体管比率可以被容易地选择,因此增加了设计灵活性程度,并取得速度方面的改善。

    半导体存储器件
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1975925A

    公开(公告)日:2007-06-06

    申请号:CN200610163698.4

    申请日:2006-12-04

    Abstract: 半导体存储器件包括利用不同行地址存取的存储板和位于相邻存储板之间的读出放大器列。该读出放大器列是位线对之一扭结的一种配置和位线对均不扭结的另一种配置的混合。如果地址分析说明存在通过一条输入/输出布线进行的存取,则不倒置输入/输出数据。如果地址分析说明存在通过另一条输入/输出布线进行的存取,而且是对存储板进行存取,则不倒置该输入/输出数据,而如果是对另一个存储板进行存取,则倒置该输入/输出数据。

    半导体存储器件
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1975925B

    公开(公告)日:2010-06-16

    申请号:CN200610163698.4

    申请日:2006-12-04

    Abstract: 半导体存储器件,包括利用不同行地址存取的存储板和位于相邻存储板之间的读出放大器列。该读出放大器列是位线对之一扭结的一种配置和位线对均不扭结的的另一种配置的混合。如果地址分析说明存在通过一条输入/输出布线进行的存取,则不倒置输入/输出数据。如果地址分析说明存在通过另一条输入/输出布线进行的存取,而且是对存储板进行存取,则不倒置该输入/输出数据,而如果是对另一个存储板进行存取,则倒置该输入/输出数据。

    电平变换电路
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1674443A

    公开(公告)日:2005-09-28

    申请号:CN200510056000.4

    申请日:2005-03-24

    Inventor: 永田恭一

    CPC classification number: H03K19/018521 H03K19/0013

    Abstract: 独立的控制信号被传输到驱动器控制单元和输出晶体管的每一个,以便防止驱动器控制单元和输出晶体管在同时工作并且减小直通电流。因为晶体管比率可以被容易地选择,因此增加了设计灵活性程度,并取得速度方面的改善。

    电平变换电路
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1674443B

    公开(公告)日:2010-12-22

    申请号:CN200510056000.4

    申请日:2005-03-24

    Inventor: 永田恭一

    CPC classification number: H03K19/018521 H03K19/0013

    Abstract: 独立的控制信号被传输到驱动器控制单元和输出晶体管的每一个,以便防止驱动器控制单元和输出晶体管在同时工作并且减小直通电流。因为晶体管比率可以被容易地选择,因此增加了设计灵活性程度,并取得速度方面的改善。

    电平变换电路
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101304252A

    公开(公告)日:2008-11-12

    申请号:CN200810093012.8

    申请日:2005-03-24

    Inventor: 永田恭一

    CPC classification number: H03K19/018521 H03K19/0013

    Abstract: 独立的控制信号被传输到驱动器控制单元和输出晶体管的每一个,以便防止驱动器控制单元和输出晶体管在同时工作并且减小直通电流。因为晶体管比率可以被容易地选择,因此增加了设计灵活性程度,并取得速度方面的改善。

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