公开(公告)号：CN1996151B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200710001414.6

申请日：2007-01-05

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 小佐信惠 ,  安里直生

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/36

Abstract: 一种电路图形曝光方法，用于向掩模辐射照光以将在所述掩模中形成的掩模图形转移(偏移)到半导体基片上，其中：所述掩模包括以预定节距布置的多个主掩模图形和在最外侧主掩模图形外布置的且不转移至所述半导体基片的辅助掩模图形；所述辅助掩模图形设有与最外侧主掩模图形相邻布置的第一辅助掩模行以及与第一辅助掩模行相邻布置的第二辅助掩模行；并且以比布置所述主掩模图形的节距窄的节距布置所述第一和第二辅助掩模行。

公开(公告)号：CN1996151A

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200710001414.6

申请日：2007-01-05

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 小佐信惠 ,  安里直生

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/36

Abstract: 一种电路图形曝光方法，用于向掩模辐射照光以将在所述掩模中形成的掩模图形转移(偏移)到半导体基片上，其中：所述掩模包括以预定节距布置的多个主掩模图形和在最外侧主掩模图形外布置的且不转移至所述半导体基片的辅助掩模图形；所述辅助掩模图形设有与最外侧主掩模图形相邻布置的第一辅助掩模行以及与第一辅助掩模行相邻布置的第二辅助掩模行；并且以比布置所述主掩模图形的节距窄的节距布置所述第一和第二辅助掩模行。