公开(公告)号：CN101140932A

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200710103304.0

申请日：2007-05-18

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 谢尔盖·皮丁

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L27/092 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/7843

Abstract: 一种CMOS半导体器件，包括：隔离区，形成于半导体衬底的表面层中，用以定义彼此邻近的NMOSFET有源区和PMOSFET有源区；NMOSFET结构，形成于所述NMOSFET有源区中；PMOSFET结构，形成于所述PMOSFET有源区中；拉应力膜，覆盖所述NMOSFET结构；以及压应力膜，覆盖所述PMOSFET结构，其中在所述拉应力膜与所述压应力膜之间的边界被设定为沿着栅极宽度方向比所述NMOSFET有源区更接近所述PMOSFET有源区。CMOS半导体器件的性能可以通过拉应力膜和压应力膜的设计来改进。

公开(公告)号：CN101030557A

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200710001453.6

申请日：2007-01-08

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 森冈博 ,  小仓寿典 ,  谢尔盖·皮丁

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L27/092 ,  H01L29/40 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823871 ,  H01L29/7843 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种具有接触结构的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：导电区；第一膜和第二膜，其形成在所述导电区上方以实现为一层；以及接触电极，其穿过所述层延伸至所述导电区，并形成为用一部分接触电极代替一部分所述层，其中要被代替的这部分层或者仅由所述第一膜组成、或者仅由所述第二膜组成、或者由一部分第一膜和一部分第二膜这二者组成，并且这部分第一膜占据这部分层的大部分。