公开(公告)号：CN1747056A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200510008490.0

申请日：2005-02-21

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 清水宏

IPC: G11C7/00 ,  G11C7/06 ,  G11C7/14 ,  G11C11/40

Abstract: 一种半导体存储装置，包括：包括多个存储单元的单元阵列；读出放大器；包括多条哑位线的自定时单元，其基于其数据被读出的存储单元位置来选择哑位线，并在读数据时产生用于控制读出放大器的激活定时的激活信号。

公开(公告)号：CN100375193C

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN03153777.4

申请日：2003-08-20

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 清水宏

IPC: G11C7/12 ,  G11C7/18 ,  G11C11/419

CPC classification number: G11C7/12 ,  G11C7/18 ,  G11C11/419

Abstract: 提供一种半导体存储器。第一放大器放大连接到静态存储单元的第一局部位线的电压。用于对连接第一放大器的一输出端的第一全局位线预充电的预充电电路分别通过第一全局位线的两端提供预充电电流。由于预充电电流以两个方向流过第一全局位线，所以电迁移评价标准可以比电流以一个方向流过的情况宽松。这就避免了由于第一全局位线的电迁移而产生的缺陷。由于第一全局位线的布线宽度可以减小，因此可以使布图面积最小化。因此，可以减小半导体存储器的芯片尺寸并降低芯片成本。

公开(公告)号：CN1329925C

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN03145280.9

申请日：2003-06-27

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 清水宏 ,  横关亘

IPC: G11C29/00 ,  H01L23/525 ,  H01L27/04

CPC classification number: G11C29/812 ,  G11C29/848

Abstract: 提供一种包括宏单元和较小尺寸熔断器的半导体器件。每个宏单元包括多个通常块和一个冗余块。每个通常块包括分别具有预定功能的多个电路。冗余块具有与通常块相同的功能。如果通常块之一不能正常工作，则将用冗余块替换它。熔断器保持指定信息，该指定信息用于指定要用包含在宏单元中的冗余块替换的通常块。该熔断器由多个宏单元共享。

公开(公告)号：CN1993827A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200480043672.5

申请日：2004-08-10

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 鹤田智也 ,  清水宏

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  G11C11/41

CPC classification number: G11C11/4125 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明涉及存储器单元、锁存器等半导体存储装置，其目的在于提供对软错误具有高免疫性的存储器单元等。在本发明中，构成反相器的P型和N型晶体管被二倍化，被二倍化的P型晶体管和N型晶体管各有一个配置在不同的势阱上。另外，在本发明中，包括：四对连接P型晶体管与N型晶体管而成的晶体管对；以及节点－栅极间连接配线，将各个晶体管对中的P型晶体管和N型晶体管之间的连接节点和各个P型、N型晶体管的栅极在防止因软错误引起的某个节点的电位翻转向其他节点传播的方向上连接。

公开(公告)号：CN1471164A

公开(公告)日：2004-01-28

申请号：CN03145280.9

申请日：2003-06-27

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 清水宏 ,  横关亘

IPC: H01L23/525 ,  H01L27/04

CPC classification number: G11C29/812 ,  G11C29/848

Abstract: 提供一种包括宏单元和较小尺寸熔断器的半导体器件。每个宏单元包括多个通常块和一个冗余块。每个通常块包括分别具有预定功能的多个电路。冗余块具有与通常块相同的功能。如果通常块之一不能正常工作，则将用冗余块替换它。熔断器保持指定信息，该指定信息用于指定要用包含在宏单元中的冗余块替换的通常块。该熔断器由多个宏单元共享。

公开(公告)号：CN1485852A

公开(公告)日：2004-03-31

申请号：CN03153777.4

申请日：2003-08-20

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 清水宏

IPC: G11C5/06 ,  G11C11/4094 ,  H01L27/10

CPC classification number: G11C7/12 ,  G11C7/18 ,  G11C11/419

Abstract: 提供一种半导体存储器。第一放大器放大连接到静态存储单元的第一局部位线的电压。用于对连接第一放大器的一输出端的第一全局位线预充电的预充电电路分别通过第一全局位线的两端提供预充电电流。由于预充电电流以两个方向流过第一全局位线，所以电迁移评价标准可以比电流以一个方向流过的情况宽松。这就避免了由于第一全局位线的电迁移而产生的缺陷。由于第一全局位线的布线宽度可以减小，因此可以使布图面积最小化。因此，可以减小半导体存储器的芯片尺寸并降低芯片成本。