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公开(公告)号：CN102160284A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200880131170.6
申请日：2008-11-28
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/173 , H03H3/04 , H03H9/564 , H03H9/568 , H03H2003/0414 , H03H2003/0428 , Y10T29/42 , Y10T29/49005
Abstract: 弹性波器件的制造方法包括以下步骤：层叠步骤，在基板(1)上形成包含下部电极(2)、压电膜(3)和上部电极(4)的多个弹性波器件；测定步骤，测定基板(1)上的多个弹性波器件中的动作频率的分布；以及调整步骤，根据动作频率的分布，在各弹性波器件的所述谐振部中，形成所述弹性波器件的厚度与其他部分不同的调整区域，在所述调整步骤中，以使各弹性波器件的所述谐振部中的所述调整区域的面积根据所述测定出的所述动作频率的分布而不同的方式，形成所述调整区域。由此，能够利用较少步骤简单地调整弹性波器件的频率特性。
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公开(公告)号：CN101785184A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200780100318.5
申请日：2007-08-23
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/725 , H03H9/0571 , H03H9/706
Abstract: 本发明提供陡峭性优异而无须增加外接部件或新的制作工序的弹性波滤波器。在同一基板上具有多个滤波器(10-1)，该滤波器(10-1)具有第1谐振器(2a-1)和第2谐振器(4a-1)，该第1谐振器(2a-1)配置在串联臂上，谐振频率为frs且反谐振频率为fas，该第2谐振器(4a-1)配置在并联臂上，谐振频率为frp且反谐振频率为fap，第1谐振器的谐振频率frs比第2谐振器的谐振频率frp高，第1谐振器的反谐振频率fas比第2谐振器的反谐振频率fap高，滤波器(10-1)多级连接。多级连接的滤波器中的至少一个滤波器(10-1)具有谐振频率为frp且反谐振频率为fap的第3谐振器(6-1)，第3谐振器(6-1)形成在基板上，在串联臂上相对于第1谐振器(2a-1)并联连接。
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公开(公告)号：CN101635562A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200910151476.4
申请日：2009-07-23
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/205 , H03H3/02 , H03H9/173 , H03H9/568 , H03H9/587 , H03H9/605 , H03H2003/021 , Y10T29/42 , Y10T29/49005
Abstract: 本发明提供了一种声波装置，制作声波装置和传输设备的方法。一种声波装置包括衬底和形成在衬底上的多个压电薄膜谐振器。多个压电薄膜谐振器中的每个包括设置在衬底上的下电极，设置在下电极上的压电薄膜，设置在压电薄膜上并且经过压电薄膜与下电极相对的上电极。每个压电薄膜谐振器由衬底部分地支持并且在衬底上延伸以在衬底与每个下电极之间形成空腔。空腔在多个压电薄膜谐振器下方连续地延伸。
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公开(公告)号：CN101170303A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710167454.8
申请日：2007-10-25
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/174 , H03H3/04 , H03H9/13 , H03H9/132 , H03H9/173 , H03H9/568 , H03H2003/023
Abstract: 本发明涉及压电薄膜谐振器和使用该压电薄膜谐振器的滤波器。该压电薄膜谐振器包括：由基板支撑的下部电极，在该下部电极的下方限定有一空间；设置在下部电极和基板上的压电膜；以及上部电极，该上部电极设置在压电膜上以形成谐振部分，在该谐振部分中，上部电极隔着压电膜与下部电极面对。下部电极和上部电极中的至少一个具有互连部分，该互连部分用于从谐振部分提取信号并位于该空间的上方。下部电极和上部电极中的所述至少一个在其中下部电极和上部电极中的所述至少一个与压电膜接触的区域中具有第一质量每单位面积，并且在谐振部分中具有第二质量每单位面积，该第一质量每单位面积小于该第二质量每单位面积。
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公开(公告)号：CN101599468A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910137486.2
申请日：2009-04-29
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H01L24/97 , H01L2224/16225
Abstract: 本发明提供一种电子部件，其能够气密性较高地进行密封并且能实现小型化。本发明的电子部件具有：绝缘基板(10)；以倒装的方式安装在绝缘基板(10)上的器件芯片(20)；图案(32)，其以图案(32)的上表面与器件芯片(20)的下表面之间具有间隙的方式沿着器件芯片(20)的侧面设置在绝缘基板(10)上；SOG氧化膜(30)，其以嵌入在图案(32)的上表面与器件芯片(20)的下表面之间的间隙中、并且在绝缘基板(10)的上表面与器件芯片(20)的下表面之间形成有空隙(26)的方式，覆盖器件芯片(20)和图案(32)的侧面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101540590A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910008544.1
申请日：2009-01-23
Applicant: 富士通株式会社 , 国立大学法人千叶大学
CPC classification number: H03H9/6483
Abstract: 本发明提供了声波器件、双工器、通信模块和通信装置。本发明的声波器件包括其中以阶梯配置连接有多个谐振器的阶梯型滤波器。在该声波器件中，串行连接的谐振器P2和P4被连接在阶梯型滤波器的并行臂中，连接在并行臂中的谐振器P2和P4具有相互不同的谐振频率。可以改善阶梯型滤波器的边缘特性，并且可以减小滤波器元件尺寸。
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公开(公告)号：CN101795118A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200910174902.6
申请日：2009-10-29
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H03H7/075 , H03H7/42 , H03H7/01 , H03K19/0175
CPC classification number: H03H9/0028 , H03H7/42 , H03H9/725
Abstract: 本发明提供一种高频器件、滤波器、双工器、通信模块和通信设备。在高频器件中，起电容器作用的谐振器(IDT电容器)被包含在滤波器或双工器中包含的集总常数平衡-不平衡转换器中，并且，IDT电容器的谐振频率被设置成高于滤波器的通带频率。这改善了电容器Q值，从而能够实现低损耗的平衡滤波器。
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公开(公告)号：CN100576734C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200610137474.6
申请日：2006-10-27
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/132 , H03H3/02 , H03H9/02133 , H03H9/173 , H03H9/568 , H03H2003/021
Abstract: 本发明提供了压电薄膜谐振器及滤波器。该压电薄膜谐振器包括构建于基板上的下电极，在该下电极和基板之间限定了圆形穹状空腔；设置于下电极之上的压电膜，以及设置于压电膜上的上电极。隔膜区域是下电极和上电极隔着压电膜的交叠区域，空腔在所述基板上的投影区域包含了该隔膜区域。
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公开(公告)号：CN101527551A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200910117841.X
申请日：2009-03-06
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/132 , H03H9/02133 , H03H9/173
Abstract: 本发明公开了压电薄膜谐振器、滤波器和通信设备。一种压电薄膜谐振器包括基板、形成在基板上的下电极、形成在基板和下电极上的压电膜以及形成在压电膜上并且与下电极相对的上电极。上电极具有主体部份和连接到该主体部份的扩展部份，该主体部份与下电极以及被布置在基板和下电极之间的开孔相对，该扩展部份具有与该开孔和基板相对的部份。
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公开(公告)号：CN101309074A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810096545.1
申请日：2008-05-16
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/174 , H03H9/0211 , H03H9/02133 , H03H9/132 , H03H9/173
Abstract: 本发明提供压电薄膜谐振器和滤波器。压电薄膜谐振器包括：在基板上形成的下部电极；在该基板和该下部电极上形成的压电膜；在该压电膜上形成的上部电极，该压电膜的一部分插在相互面对的该下部电极和该上部电极之间；以及附加膜，该附加膜形成在该基板上，在该下部电极的外周的至少一部分上，并且位于该下部电极和该上部电极相互面对的部分，该附加膜沿着该下部电极布置。
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