公开(公告)号：CN119832956A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411888782.7

申请日：2024-12-20

Applicant: 安徽大学

Inventor： 戴成虎 ,  秦永奇 ,  蔺智挺 ,  刘玉 ,  李鑫 ,  彭春雨 ,  吴秀龙 ,  卢文娟

IPC: G11C11/4067 ,  G11C7/12

Abstract: 本发明涉及DRAM电路设计技术领域，具体涉及基于电容及翻转点补偿的灵敏放大器、读取电路、模块。本发明公开了一种基于电容及翻转点补偿的灵敏放大器，包括：9个NMOS管M1～M9、2个PMOS管P1～P2、2个电容C1～C2。本发明设计了CSCSA、并配合相应的控制逻辑，使其在对DRAM存储单元读取时设计了：预充阶段、失调消除阶段、电荷共享阶段、前感阶段、感应放大阶段，使位线BL或BLB电位可以正确变化，保证了CSCSA读取放大功能。相较于传统的DRAM灵敏放大器，本发明提供的CSCSA实现了在元件数量增幅不大的情况下，使失调电压指标大幅度降低、并提高了感测良率。